半导体器件物理工程认证微电子 课程教学大纲.doc

半导体器件物理工程认证微电子 课程教学大纲.doc

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料,不作为权威性指导和指引,仅供参考
  1. 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

【半导体器件物理】(工程认证版)

【PhysicsofSemiconductorDevices】

一、基本信息

课程代码:【2080257】

课程学分:【3】

面向专业:【微电子科学与工程】

课程性质:【系级必修课◎】

开课院系:机电学院电子工程系

使用教材:教材【半导体器件物理刘树林、张华曹、柴常春编,—北京:电子工业出版社,2015.9】

参考书目【半导体器件原理/黄均鼐,汤庭鳌,胡光喜编著—复旦大学出版社,2010.7】

【半导体器件电子学/R.M.Warner,B.L.Grung著,吕长志等译,—北京:电子工业出版社,2005.12】、

【半导体器件基础,RobertF.Pierret著,黄如等译,—北京:电子工业出版社,2004.9】

课程网站网址:/

先修课程:无

后续课程:【模拟电子电路2080188(4)】

二、课程简介和课程目标

本课程是微电子和电子科学与技术专业一门理论性较强的专业基础课,通过本课程的学习,可以使学生获得半导体器件方面的基本知识,为从事半导体工艺制造,版图设计,集成电路封装测试等工作打下坚实的基础。

《半导体器件物理》的主要任务是使学生掌握半导体器件的工作原理和工作特性,是从事微电子和光电子相关方向工作的人才必须具备的基础知识。通过《半导体器件物理》的学习,学生要掌握半导体物理的基本知识;重点掌握PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系;以及了解常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

三、选课建议

本课程面向微电子科学与工程,电子科学与技术专业的二年级本科生授课。

四、课程目标对毕业要求指标点的支撑(必填项)

毕业要求

毕业要求指标点

课程目标

1.工程知识:能够将数学、自然科学、工程基础和专业知识用于解决微电子科学与工程领域的复杂工程问题。

1.2能针对具体的设计对象抽象建立计算模型并分析;

1

1.3能将相关知识和数学模型用于半导体器件设计、电路设计和分析、版图设计和仿真、系统应用等方面工程问题的推演、分析

2

2.能运用数学、自然科学、工程科学原理,识别和判断电路、设计、工艺等问题的关键环节和参数;

2.2能认识到解决复杂微电子科学与工程问题有多种方案,并能通过文献研究分析寻求(工程问题的)有效解决方案,获得有效结论

3

备注:表格行数根据课程目标数可添加,1个指标点可以1个或多个课程目标数来支撑

五、课程目标/课程预期学习成果

序号

毕业要求指标点

课程目标

序号

毕业要求指标点

1

1.2能针对具体的设计对象抽象建立计算模型并分析;

1.知道半导体器件的基本物理知识

2.能够综合运用学过的相关内容,独立分析器件的工作原理,性能指标的好坏等。

课堂授课

课堂提问

作业笔记

期末考试

2

1.3能将相关知识和数学模型用于半导体器件设计、电路设计和分析、版图设计和仿真、系统应用等方面工程问题的推演、分析

运用相关知识进行相关问题的计算,分析电路的工作状态

课堂授课

课堂提问

作业笔记

期末考试

3

2.2能认识到解决复杂微电子科学与工程问题有多种方案,并能通过文献研究分析寻求(工程问题的)有效解决方案,获得有效结论

能够了解整个半导体器件最新技术发展动态,具备自主学习和信息查寻能力。

1.自主学习

2.课堂授课

课程报告

六、课程内容

单元

知识点

能力要求

支撑的课程目标

教学难点

1.半导体器件的物理基础(10课时理论)

1.知道半导体晶体结构和缺陷。L1

2.理解半导体的能级和能带结构。L2

3.理解半导体中载流子的浓度影响因素,运用公式解决相关计算题目。L2L3

4.理解半导体中的平衡与非平衡载流子。L2

5.分析半导体中载流子的两种运动及其影响因素。L4

6.了解半导体器件的发展史及发展动态。

1.能够分析半导体材料的能带图。

2.能够运用相关公式进行载流子浓度的计算。

3.能够自主学习,进行文献查寻,并会撰写报告。

目标1,目标3

1.半导体的能带图

2.PN结(14课时理论)

1.理解平衡PN结的形成及能带结构L2

2.分析pn结的直流特性L4

3.理解PN结的两种击穿特性和两种电容效应L2

4.运用PN结的开关特性,分析相应电路题目L3L4

5.理解金属-半导体的整流接触和欧姆接触L2

1.能够分析外在电压变化对PN结的直流特性的影响

2.能够分析外在电压变化对PN结电容和击穿电压的影响。

3.学会分析二极管在电路中的作用

目标1,目标2

1.PN结的直流特性。

2.PN结的击穿机理。

3.晶体管的直流特性(10课时理论)

1.理解晶体管的基本结构,知道其制造工艺和杂

文档评论(0)

CUP2008013124 + 关注
实名认证
内容提供者

北京教育部直属高校教师,具有十余年工作经验,长期从事教学、科研相关工作,熟悉高校教育教学规律,注重成果积累

1亿VIP精品文档

相关文档