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SVG104R0NT(S)(F)说明书
120A、100VN沟道增强型场效应管
描述
SVG104R0NT(S)(F)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
120A,100V,RDS(on)(典型值)3.4m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVG104R0NTTO-220-3L104R0NT无铅料管
SVG104R0NSTO-263-2L104R0NS无卤料管
SVG104R0NSTRTO-263-2L104R0NS无卤编带
SVG104R0NFTO-220F-3L104R0NF无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.6
共10页第1页
SVG104R0NT(S)(F)说明书
极限参数(除非特殊说明,T25C)
J
参数值
参数符号单位
SVG104R0NT(S)SVG104R0NF
漏源电压VDS100V
栅源电压VGS±20V
T25°C120
C
漏极电流IDA
T100°C110
C
漏极脉冲电流IDM480A
20839
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