2.1非理想效应讲义.pdf

半导体器件物理II

场效应器件物理

第12章MOSFET进阶

12.1非理想效应

12.1非理想效应本节内容

MOSFET亚阈特性

沟道长度调制效应

迁移率变化

速度饱和

弹道运输

12.1非理想效应主要内容

MOSFET亚阈特性

亚阈电流的定义和形成机制

亚阈值摆幅的定义和物理意义

亚阈特性的影响

减缓亚阈影响的措施

12.1非理想效应亚阈值电流:定义

VV

GST

理想MOSFET：I=0亚阈值电流

D√

实际MOSFET：存在亚阈值电流Idsub

亚阈区：

VGS稍小于VT，

表面势：

2

fpsfp

半导体表面处于弱反型区

弱反型沟道，形成亚阈值电流IDsub

IDsub形成机制？

201511

12.1非理想效应亚阈值电流:形成机制

MOSFET电势图：

源区和漏区形成电子的势阱

V越正，半导体表面的Φ越正衬底0势能参考点

GSS

堆积态：势垒很高→电子无

法跃过→无法形成表面电流

弱反型态：势垒较低→电子有一定

几率越过势垒→形成亚阈值电流

强反型状态：势垒极低→大量电

子越过势垒→形成沟道电流

弱反型区电子浓度小，但浓度梯度

大，是忽略漂移电流的扩散电流

V正向往V增加，表面势越正，势垒高度差越小

GST

半导体表面状态从多子堆积态，经耗尽态，弱反型态，到阈值反型点，进入强反型状态

12.1非理想效应亚阈值电流:电压特性

亚阈电流表达式:

ID与随VGS指数增加，有gm

若VDS4（kT/e），最后括号部分≈1，

IDsub近似与VDS无关

思考：随着VGS增加，曲线斜率变化原因？

若VV－V，处于饱和区若VDSVGSV，处于线性区

DSGSTT

WC2WC

Inox(VV)与V无关IDnox(VV)VV

D(sat)GSTDSGSTDSDS

2LL

半对数坐标中亚阈电流

思考：VDS为某一常数时，随着VGS增加，与VGS之间呈现直线

器件先进入哪个工作区？

12.1非理想效应