硅基GaN单片功率集成IC技术研究.pdfVIP

摘要

随着时代的发展与进步，汽车电子、消费类电子产品等更新迭代迅速，内部功

率转换系统朝着高功率密度、高转换效率、小型化、轻量化的方向蓬勃发展。硅功

率器件由于自身性能逐渐达到硅材料的极限，不能满足当下功率转换系统的发展

需求。氮化镓（GaN）功率器件具有低导通电阻、无反向恢复损耗等优异物理性能，

基于GaN功率器件设计的高功率密度、高转换效率的功率转换系统逐渐受到市场

认可，在功率转换市场中展现出不俗的竞争力。

目前，研究设计高效、高可靠性的GaN功率器件驱动方案以充分发挥GaN功

率器件自身的优异性能，从而实现高性能的功率转换系统成为学术界、工业界的研

究重点。全氮化镓单片集成（All-GaNMonolithic）驱动方案可以有效减少由封装

带来的寄生效应，显著提升系统的转换效率，缩小无源器件体积，提升系统整体功

率密度，充分发挥GaN功率器件高频、高功率密度等核心优势。然而，在GaN器

件空穴/电子迁移率差异过大而导致p-type/n-typeGaN器件严重失配的情况下，针

对氮化镓器件动态特性，设计氮化镓基逻辑电路、驱动级电路、外围保护电路等是

当下的关键技术难点。

因此，本文面向硅基氮化镓单片集成，设计一种全E-modeGaN集成的半桥驱

动电路，主要内容如下：针对传统自举电路充电方式进行优化，基于低侧功率管时

序控制GaN开关管实现对自举电容的充放电过程；为应对开关过程中开关节点的

高dv/dt变化，设计实现具有高共模抗扰度的电平位移电路，且利用短脉冲触发机

制控制电平位移电路的功耗损失；提出一种基于电容充放电的死区时间控制电路，

以防止高、低侧功率晶体管形成穿通致使系统损坏；此外，本文提出一种RC触发

的ESD保护电路和欠压保护电路，保证ESD事件发生时或外部电源供电不足时的

系统可靠性。最后，本文提出基于开关管控制的驱动级电路，实现对功率器件的快

速驱动控制。

本文面向单片集成硅基氮化镓技术方案，运用Cadence仿真软件对所设计的

全E-modeGaN集成半桥驱动电路及子模块电路进行仿真验证。本文所设计电路在

1MHz的开关频率下，驱动级电路实现0.6A上拉、1.1A下拉电流，CMTI能力达

到100V/ns，ESD响应时间70ns以内，泄放电流1.24A，欠压锁定窗口为4.5V，

迟滞窗口0.3V。芯片整体仿真延时接近16ns，失配在1ns以内。

关键词：全氮化镓单片集成驱动方案，半桥驱动，电平位移电路，保护电路

ABSTRACT

Withthedevelopmentandprogressofthetimes,automotiveelectronics,consumer

electronics,andotherproductsarerapidlyupdatinganditerating,andinternalpower

conversionsystemsareflourishingtowardshighpowerdensity,highconversion

efficiency,miniaturization,andlightweighting.Siliconpowerdevices,duetotheir

performancegraduallyreachingthelimitofsiliconmaterials,cannotmeetthecurrent

developmentneedsofpowerconversionsystems.Galliumnitride(GaN)powerdevices

haveexcellentphysicalpropertiessuchaslowonresistanceandnoreverserecoveryloss.

Highpowerdensityandhighconversionefficiencypowerconversionsystemsdesigned

basedonGaNpowerdevicesaregradually