【国盛-2025研报】周观点：AI持续高景气，存力演绎进行时.pdfVIP

证券研究报告|行业周报

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20251019

年月日

电子

周观点：AI持续高景气，存力演绎进行时

NANDFlash供应商加速转进大容量NearlineSSD。当前HDD市场面增持（维持）

临显著供应缺口，这一现状反过来推动NANDFlash厂商加速技术迭代，

积极投入122TB乃至245TB等超大容量近线（Nearline）SSD的生产。新行业走势

一代热辅助磁记录（HAMR）技术产线初期需投入高昂成本，不仅造成产

能扩张瓶颈，还迫使供应商将成本压力转嫁至客户端，导致ASPPerGB从电子沪深300

70%

过往的0.012-0.013美元升至0.015-0.016美元，HDD最核心的成本优势

被大幅削弱。NANDFlash借助3D堆栈技术的持续演进，产能提升速度远54%

超HDD；且随着堆栈层数从上百层向200层以上突破，晶圆存储位元密38%

度不断提高，预计2026年2TbQLC芯片产能将逐步释放，成为拉低22%

NearlineSSD成本的核心力量。我们认为NearlineSSD对HDD的替代效6%

应将进一步提升NAND的需求，AI驱动下存储需求动能不断。

-10%

2024-102025-022025-062025-10

三星25Q3业绩超预期，2027年将量产HBM4E。三星25Q3业绩超预

期，营收重回存储供应商之首。三星25Q3营业利润为12.1万亿韩元（约作者

85亿美元）超预期，营收攀升约9%至86万亿韩元。根据Counterpoint分析师郑震湘

咨询，三星电子2025年Q3的存储营收达194亿美元，重返全球最大的执业证书编号：S0680524120005

存储供应商之首。本季度三星的优异表现主要受益于市场对其传统DRAM邮箱：zhengzhenxiang@

与NAND的强劲需求。在下一代产品方面，三星电子在2025年OCP全球分析师佘凌星

峰会上宣布HBM4E计划于2027年实现量产。执业证书编号：S0680525010004

邮箱：shelingxing1@

存储价格大幅上涨，威刚10月开始惜售。DRAM市场，SSD成本急剧上相关研究

升，现货有限，市场部分暂停报价。其中DRAM市场价格创下年度最大单1、《电子：周观点：OpenAI发布四大更新，重视算力

周涨幅，看涨情绪高涨，炒作势头依然强劲。Flash颗粒成交价普遍较合+存力机遇》2025-10-07

约价溢价20%以上；USB颗粒市场货较少，价格走强。威刚10月开始惜2、《电子：周观点：AI算力持续演进，把握存储大周

售，陈立白表