第1章电力电子课件.pptVIP

相当于MOSFET驱动的厚基区PNP型GTR组成的达林顿结构。Rdr是GTR基区扩展电阻(调制电阻)。Rbr是体区短路电阻。当考虑擎住效应时，内部存在寄生三极管NPN。第28页，共45页，星期日，2025年，2月5日当UGE大于开启电压时，管子饱和导通；由于电导调制效应的作用，具有较小的导通压降。当UGE小于开启电压时，管子关断。1.7.2IGBT的基本特性1.静态特性转移特性——反映集电极电流与栅极电压的关系。与功率MOSFET基本相似。IGBT的开启电压UT一般2～6V，最大不超过15V，并随温度升高而略有降低。②输出特性——集—射极电压UCE与集电极电流IC的关系，控制参数是栅—射极电压UGE。第29页，共45页，星期日，2025年，2月5日输出特性分为饱和区、有源区、正向阻断区。IGBT工作时在饱和区和正向阻断区之间转换。饱和区正向阻断区有源区IGBT在额定电流时，通态压降约为1.5~2V。IGBT并联使用时，具有自动调节均流的能力。2.动态特性(略)1.7.3IGBT的主要参数最大集电极电压UCEM——IGBT内部PNP三极管所承受的最高电压。第30页，共45页，星期日，2025年，2月5日2.最大集电极电流ICM——集电极允许流过的最大电流。此定额与结温有关。3.最大允许的耗散功率PCM——在额定结温下，管子长期运行时允许的最大功率。4.栅极最大电压UGEM——栅极所能承受的最大电压，一般在±20V左右。5.开关频率——最高可达40kHz，典型工作频率20kHz。1.7.4IGBT的擎住效应和安全工作区1.擎住效应集电极电流大到一定程度，体区电阻上的电压使寄生三极管导通，即使UGE为零，IGBT仍然导通，管子失去控制。第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日正向偏置安全工作区（FBSOA）当导通时间很小时，FBSOA为一矩形。由最大集电极电流ICM、最大集电极电压UCEM和最大允许的耗散功率PCM确定。反向偏置安全工作区（RBSOA）由最大集电极电流ICM、最大集电极电压UCEM和最大允许的du/dt决定。2.安全工作区第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日1.1电力电子开关器件概述1.1.1电力电子开关器件的特点传统电力电子开关器件——半控型晶闸管及其派生器件。现代电力电子开关器件——高速、全控型器件。采用分立式结构。半控型。采用移相控制技术。电压、电流定额高。全控化，集成化，高频化，多功能化。主要特点：主要特点：特别是功率集成电路PIC除开关功能外，还有驱动、保护、检测等功能。1.1.2电力电子开关器件的种类不控型——没有控制端子的两端器件，但具有单向导电性。如电力二极管第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日可控型——有控制端子的三端器件。半控型：具有可控制开通，不可控制关断的单向导电性。如晶闸管及其派生器件。全控型：具有可控制开通，又可控制关断的单向导电性。电流控制型——控制信号为电流信号。特点：工作频率低，控制极输入阻抗低，通态压降低，电流容量大等。如GTR电压控制型——控制信号为电压信号。特点：工作频率高，控制极输入阻抗高，控制功率小，响应速度快等。如功率MOSFET、IGBT1.1.3电力电子开关器件的比较1.装置容量与工作频率第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日变换器每个桥臂仅用一个器件时，装置容量与变换频率的关系曲线如图。2.功率损耗与工作频率电压电流定额在同一数量级下。第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日3.应用范围电力电子器件应用领域与设备容量、工作频率关系曲线如图。第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日1.1.3电力电子开关器件的发展发展复合型器件和功率集成电路。进一步提高全控型器件的功率等级、驱动性能和工作频率。材料：硅碳化硅。第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日1.2功率二极管功率二极管也称电力二极管，其电压、电流定额较大。1.2.1功率二极管的结构和工作原理以PN结为基础，主要有螺栓式和平板式。图形符号阳极阴极第7页，共45页，星期日，2025年，2月5日具