二极管分类讲解.pptxVIP

二极管分类讲解演讲人：日期:

目录02按电学特性分类01按半导体材料划分03按核心功能划分04特殊结构类型05按封装形式分类06应用场景选用指南

01按半导体材料划分

硅二极管特性硅材料具有较大的禁带宽度（1.12eV），导致其开启电压明显高于锗二极管，适合高压应用场景如整流电路。正向压降较高（0.6-0.7V）硅二极管的漏电流随温度变化小，反向击穿电压温度系数为正（约2mV/℃），可在-55℃至150℃宽温范围内稳定工作。温度稳定性优异现代快恢复硅二极管（FRD）可达纳秒级，特别适用于高频开关电源和逆变器电路中的续流保护。反向恢复时间短基于成熟的硅平面工艺，可批量制造高压大电流器件（如3000V/100A的整流模块），性价比显著优于其他材料。工艺成熟成本低

锗二极管特性超低正向压降（0.2-0.3V）结电容特性优异温度敏感性强易受辐射影响得益于锗的窄禁带（0.66eV），特别适合小信号检波应用，如收音机中的AM检波电路可提高灵敏度。反向饱和电流每升高10℃约增大1倍，高温下性能急剧恶化，工作温度通常限制在75℃以下。点接触型锗二极管（如1N60）结电容可低至0.5pF，广泛用于VHF/UHF频段的射频检波和混频电路。锗晶体中的空位缺陷对电离辐射敏感，在航天等辐射环境中需进行特殊封装处理。

化合物半导体二极管宽禁带材料优势碳化硅（SiC）二极管禁带达3.26eV，可实现1700V/50A的超高压大电流器件，反向恢复电荷比硅器件降低90%以上。高频特性突出砷化镓（GaAs）肖特基二极管截止频率超过100GHz，是毫米波混频器、太赫兹检测器的核心元件。特殊光电特性氮化镓（GaN）基LED二极管涵盖紫外到绿光波段，量子效率超过80%，而磷化铟（InP）雪崩二极管可实现单光子探测。耐极端环境能力金刚石二极管理论工作温度可达500℃，热导率是硅的15倍，适用于深井钻探、航天发动机等超高温环境监测。

02按电学特性分类

整流二极管结构与原理整流二极管采用PN结结构，利用单向导电性将交流电转换为直流电，广泛应用于电源电路中。其核心特性包括低正向压降和高反向耐压能力。01主要参数关键参数包括最大正向电流（IF）、反向击穿电压（VRRM）及反向恢复时间（trr）。例如1N4007系列整流管可承受1A电流和1000V反向电压。应用场景常用于电源适配器、充电器、逆变器等设备的整流电路，也用于电机驱动和电焊机等工业设备中。选型要点需根据电路工作频率（工频/高频）、散热条件及成本综合选择快恢复二极管或普通整流管。020304

开关二极管性能特点工作模式特殊类型失效分析具有极短的反向恢复时间（纳秒级），如1N4148的trr仅4ns，适用于高频开关电路。其结电容小，可实现快速导通与关断。在数字电路中用作逻辑开关，在RF电路中承担信号调制功能，需关注正向压降（VF）与反向漏电流（IR）的平衡。包括肖特基二极管（金属-半导体结，VF低至0.3V）和PIN二极管（可变阻抗特性），分别适用于低压高频和微波领域。过高的dv/dt可能导致热击穿，设计时需加入缓冲电路并严格控制工作温度范围。

稳压二极管齐纳效应电路设计温度补偿扩展应用利用反向击穿区（5-200V）的电压钳位特性实现稳压，动态电阻可低至1Ω，精度可达±5%。采用串联正向二极管或特殊掺杂工艺（如LM399基准源）补偿温度系数，使温漂小于0.0005%/℃。需配合限流电阻使用，功率计算需考虑最大耗散功率（PD）与负载电流变化范围，防止热失控。除电压基准外，还可用于过压保护、波形整形和噪声抑制电路，TVS管是其大功率衍生类型。

03按核心功能划分

发光二极管（LED）LED可通过改变半导体材料的能带结构实现不同颜色的发光，包括红、绿、蓝、黄等单色光，以及通过组合实现全彩显示。颜色多样性????0104????03??02??相比传统光源，LED具有更低的能耗、更长的使用寿命（可达5万小时以上）、更快的响应速度和更高的亮度可调性。性能优势LED利用半导体材料中的电子与空穴复合时释放的能量产生光子发光，具有高效、节能、寿命长的特点，广泛应用于照明、显示和指示领域。发光原理LED广泛应用于室内外照明（如LED灯泡、路灯）、电子设备背光（如手机、电视屏幕）、交通信号灯和汽车照明等领域。应用场景

光电二极管光电二极管利用半导体材料的光电效应，将光信号转换为电信号，常用于光检测、光通信和光测量等领域。工作原理包括PIN光电二极管（响应速度快、灵敏度高）、雪崩光电二极管（APD，具有内部增益，适用于弱光检测）和肖特基光电二极管（适用于高频应用）。主要类型光电二极管广泛应用于光纤通信系统（光信号接收）、光传感器（如烟雾探测器、自动门感应）、太阳能电池（光能转换）和医疗设备（如脉搏血氧仪）。应用领域关键参数包括响应度