第十章铸造多晶硅.pptVIP

切完方柱体后，利用线切割机切成片状。第29页，共71页，星期日，2025年，2月5日利用定向凝固技术生长的铸造多晶硅，生长速度慢，坩埚是消耗件，不能重复循环使用，即每一炉多晶硅需要一直坩埚；而且，在晶锭底部和上部，各有几厘米后的区域由于质量低而不能应用。为了克服这些缺点，电磁感应冷坩埚连续拉晶法（electromagneticcontinuouspulling）已经被开发，简称EMC或EMCP法。第30页，共71页，星期日，2025年，2月5日其原理是利用电磁感应的冷坩埚来熔化硅原料。电磁感应冷坩埚连续拉晶法原理第31页，共71页，星期日，2025年，2月5日①这种技术熔化和凝固可以在不同部位同时进行，节约生产时间；而且，熔体和坩埚不直接接触，既没有坩埚消耗，降低成本，又减少了杂质污染程度，特别是氧浓度和金属杂质浓度有可能大幅度降低。电磁感应冷坩埚连续拉晶法的优点②该技术还可以连续浇铸，速度可达5mm/min。不仅如此，由于电磁力对硅熔体的作用，使得掺杂剂在硅熔体中的分布可能更均匀。显然，这是一种很有前途的铸造多晶硅技术。第32页，共71页，星期日，2025年，2月5日图6.9所示为电磁感应冷坩埚连续拉晶法制备铸造多晶硅的示意图。

由图6.9可知，硅原料可以从顶部直接下落到硅熔体之中。第33页，共71页，星期日，2025年，2月5日由上述可知，该技术需要进一步改善晶体制备技术和材料质量，才能使得这种技术在工业界得到广泛应用。目前，利用该技术制备的铸造多晶硅硅锭可达35mm×35mm×300mm，电池转换效率可达15-17%。电磁感应冷坩埚连续拉晶法的缺点这种技术制备出的铸造多晶硅的晶粒比较细小，约为3-5mm，而且晶粒大小不均匀。而且，由图6.9可以看出，该技术的固液界面是严重的凹形，会引入较多的晶体缺陷。因此，这种技术制备的铸造多晶硅的少数载流子寿命较低，所制备的太阳电池的效率也较低。第34页，共71页，星期日，2025年，2月5日10.3铸造多晶硅的晶体生长10.3.1铸造多晶硅的原材料铸造多晶硅的原材料微电子工业应单晶硅生产的剩余料半导体级的高纯多晶硅微电子工业应单晶硅生产的剩余料质量相对较差的高纯多晶硅单晶硅棒的头尾料单晶硅生长完成后剩余在石英坩埚中的硅底料第35页，共71页，星期日，2025年，2月5日与直拉、区熔晶体硅生长方法相比，铸造方法对硅原料的不纯具有更大的容忍度，所以铸造多晶硅的原料更多地使用电子工业的剩余料，从而使得原料的来源可以更广，价格可以更便宜，而且，在多晶硅片制备过程中剩余的硅材料还可以重复利用。有研究表明，只要原料中剩余料的比例不超过40%，就可以生长出合格的铸造多晶硅。第36页，共71页，星期日，2025年，2月5日10.3.2坩埚在铸造多晶硅制备过程中，可以利用方形的高纯石墨作为坩埚，也可以利用高纯石英作为坩埚。高纯石墨的成本比较便宜，但是有较多可能的碳污染和金属污染；高纯石英的成本较高，但污染少，要制备优质的铸造多晶硅就必须利用石英坩埚。第37页，共71页，星期日，2025年，2月5日①在制备铸造多晶硅时，原材料熔化、晶体硅结晶过程中，硅熔体和石英坩埚长时间接触，会产生黏滞作用。由于两者的热膨胀系数不同，在晶体冷却时很可能造成晶体硅或石英坩埚破裂。石英坩埚的问题②由于硅熔体和石英坩埚长时间接触，与制备直拉单晶硅时一样，会造成石英坩埚的腐蚀，使得多晶硅中的氧浓度升高。第38页，共71页，星期日，2025年，2月5日工艺上一般利用Si3N4或SiO/SiN等材料作为涂层，附加在石英坩埚的内壁。解决石英坩埚的问题的方法②利用Si3N4涂层，还使得石英坩埚可能得到重复使用，达到降低生产成本的目的。涂层的作用①隔离了硅熔体和石英坩埚的直接接触，不仅能解决黏滞问题，而且可以降低多晶硅中的氧、碳杂质浓度。第39页，共71页，星期日，2025年，2月5日10.3.3晶体生长工艺直熔法制备铸造多晶硅的具体工艺如下：装料加热化料晶体生长退火冷却第40页，共71页，星期日，2025年，2月5日10.3.3.1装料将装有涂层的石英坩埚放置在热交换台(冷去板)上，放入适量的硅原料，然后安装加热设备，隔热设备和炉罩，将炉内抽真空，使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气体，是炉内