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2025年（芯片设计）芯片制造工艺试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请从每题的四个选项中选出一个正确答案，将其序号填在括号内。

1.芯片制造中光刻技术的主要作用是（）

A.刻蚀芯片表面B.定义芯片电路图案C.掺杂杂质D.连接电路

答案：B

2.以下哪种材料常用于芯片制造中的衬底（）

A.铜B.硅C.金D.铝

答案：B

3.芯片制造中离子注入的目的是（）

A.改变芯片颜色B.引入杂质改变电学性能C.增强芯片硬度D.清洗芯片表面

答案：B

4.光刻工艺中曝光光源的波长越短，光刻分辨率（）

A.越低B.越高C.不变D.先高后低

答案：B

5.芯片制造中化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.芯片封装B.生长薄膜C.芯片切割D.去除杂质

答案：B

6.以下哪种不是芯片制造中的刻蚀方法（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.光刻刻蚀D.激光刻蚀

答案：C

7.芯片制造中退火工艺的作用是（）

A.降低芯片温度B.消除晶格缺陷C.增加芯片厚度D.改变芯片形状

答案：B

8.用于芯片制造的光刻胶一般对（）敏感。

A.紫外线B.红外线C.可见光D.微波

答案：A

9.芯片制造中浅沟道隔离（STI）技术主要用于（）

A.提高芯片集成度B.降低芯片功耗C.隔离不同器件D.增强芯片散热

答案：C

10.芯片制造中，掺杂硼元素通常会使硅材料成为（）

A.N型半导体B.P型半导体C.绝缘材料D.导体

答案：B

第II卷（非选择题，共60分）

1.简答题（每题5分，共20分）

-1：请简要说明芯片制造中光刻工艺的基本流程。

_光刻工艺基本流程包括涂胶，在芯片表面均匀涂上光刻胶；曝光，用特定波长光照射光刻胶使其发生化学反应；显影，去除未曝光部分光刻胶，从而在芯片表面留下与光刻版对应的图形，为后续工艺提供图案模板。_

-2：简述化学气相沉积（CVD）生长薄膜的原理。

_CVD是利用气态物质在固体表面发生化学反应，生成固态薄膜的过程。气态反应物在加热或等离子体等作用下分解，活性原子或分子在衬底表面吸附、反应，形成固态薄膜并沉积在衬底上，通过控制反应条件可精确控制薄膜的成分、厚度和质量。_

-3：芯片制造中离子注入的基本步骤有哪些？

_离子注入基本步骤：首先产生离子束，将所需杂质原子电离成离子；然后对离子束进行加速，使其获得足够能量；接着将加速后的离子束精确地注入到芯片预定区域，改变该区域的电学性能。_

-4：说明刻蚀工艺中湿法刻蚀和干法刻蚀的特点。

_湿法刻蚀特点：选择性好，对特定材料刻蚀速率高；设备简单成本低；但刻蚀精度有限，易出现侧向腐蚀。干法刻蚀特点：刻蚀精度高，能实现高深宽比刻蚀；可精确控制刻蚀图形；但设备成本高，气体可能对环境有影响。_

2.讨论题（每题10分，共20分）

-1：随着芯片制造工艺不断发展，光刻技术面临哪些挑战？如何应对？

_光刻技术面临的挑战包括：光刻分辨率提升困难，受光波长限制；光刻胶性能瓶颈，如分辨率、灵敏度等；光刻设备成本高昂。应对措施有：研发更短波长光源，如极紫外光刻技术；改进光刻胶材料和工艺；加强光刻设备研发创新，提高设备性能同时降低成本。_

-2：在芯片制造中，如何平衡芯片性能提升与制造成本控制之间的关系？

_要平衡二者关系，一方面在提升性能方面，可通过不断优化制造工艺，如采用更先进的光刻技术提高集成度、改进掺杂工艺提升器件性能等。另一方面控制成本，合理选择材料和工艺，避免过度追求高端工艺导致成本大幅上升；优化生产流程，提高生产效率，降低单位芯片制造成本；加强供应链管理，降低原材料采购成本等。_

3.综合题（每题10分，共20分）

-1：描述从硅衬底开始到形成一个简单逻辑门芯片的大致制造工艺流程。

_首先在硅衬底上进行氧化生长二氧化硅层作为绝缘层；通过光刻和刻蚀定义有源区；进行离子注入或扩散掺杂形成源极、漏极和栅极的掺杂区域；化学气相沉积生长栅介质层和金属布线层；光刻和刻蚀形成金属布线连接各个器件，最终形成简单逻辑门芯片，期间还包括退火等工艺保证材料性能。_

-2：假如芯片制造中某一关键工艺出现问题，如光刻分辨率达不到要求，分析可能对芯片性能产生的影响以及如何解决？

_光刻分辨率达不到要求，可能导致芯片电路图案尺寸不准确，相邻器件间距变小易产生短路，影响芯片逻辑功能；器件尺寸变大，降低芯片集成度，增加芯片面积和功耗。解决方