CN111668092B 晶圆键合的方法 （北京华卓精科科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111668092B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202010511286.5

(22)申请日2020.06.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111668092A

(43)申请公布日2020.09.15

(66)本国优先权数据

(74)专利代理机构北京头头知识产权代理有限公司11729

专利代理师刘锋王方明

(51)Int.CI.

H01L21/18(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

202010331326.82020.04.24CN(56)对比文件

(73)专利权人北京华卓精科科技股份有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十街19号院2号楼2层(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组

团)

CN109437096A,2019.03.08

CN110098140A,2019.08.06

审查员贾晓阳

(72)发明人刘效岩张凇铭王建

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

晶圆键合的方法

(57)摘要

CN111668092B本发明公开了一种晶圆键合的方法，属于集成电路芯片制造领域。该方法在集成电路芯片制造厂依次进行清洗工艺和烘烤工艺；通过晶圆键合设备进行如下键合工艺：机械手传送区将晶圆从晶圆存取区取出；晶圆ID阅读器和晶圆预对准器读取晶圆ID并预对准晶圆；对准预键合单元对晶圆进行对准和预键合；视觉检测区检测预键合后的晶圆对是否存在键合缺陷，若存在，则解键合单元对晶圆对进行解键合后将晶圆放到晶圆存取区；否则，直接将晶圆对放到晶圆存取区。键合工艺中，通过机械手传送区和/或后置机械手对晶圆和晶圆对进行传输。本发明优化了晶圆的

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CN111668092B权利要求书1/2页

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1.一种晶圆键合的方法，其特征在于，所述方法包括：

在集成电路芯片制造厂依次对晶圆进行清洗工艺和烘烤工艺；

通过晶圆键合设备对晶圆进行键合工艺；

所述晶圆键合设备包括机台，所述机台上设置有机械手传送区、晶圆存取区、对准预键合单元、视觉检测区、解键合单元、后置机械手、晶圆ID阅读器和晶圆预对准器；

所述键合工艺包括：

通过机械手传送区将待键合的两个晶圆从晶圆存取区取出；

通过晶圆ID阅读器和晶圆预对准器读取晶圆ID并对两个晶圆进行预对准；

通过对准预键合单元对两个晶圆进行对准以及预键合；

通过视觉检测区检测预键合后的晶圆对是否存在键合缺陷，若存在键合缺陷，则通过解键合单元对晶圆对进行解键合，将解键合后得到的两个晶圆放置到晶圆存取区，重新进行键合工艺；若不存在键合缺陷，则直接将晶圆对放置到晶圆存取区；

其中，键合工艺的过程中，通过机械手传送区和/或后置机械手对晶圆和晶圆对进行传输；

所述清洗工艺包括化学表面活化清洗工艺，所述化学表面活化清洗工艺包括：

使用化学药液对晶圆进行活化清洗；

晶圆干转；

使用水对晶圆进行清洗；

使用氮气对晶圆进行吹干；

所述化学药液的PH范围为8-10,所述化学药液由以下全部或部分物质组成：

水70-90%;

杂环类化合物1-15%;

取代胺1-15%;

氨类化合物1-10%;

无机酸1-10%;

无机盐1%。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合的方法，其特征在于，使用化学药液对晶圆进行活化清洗的时间为20-60s,晶圆干转的时间为3-10s,使用水对晶圆进行清洗的时间为20-60s,使用氮气对晶圆进行吹干的时间为10-30s,对晶圆进行烘烤的温度为100-400℃,烘烤时间为10s-90s。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合的方法，其特征在于，所述晶圆存取区、晶圆ID阅读器和晶圆预对准器位于所述机台的左部区域，所述对准预键合单元位