CN111952310B 半导体装置及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111952310B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202010623869.7

(22)申请日2016.12.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111952310A

(43)申请公布日2020.11.17

(30)优先权数据

10-2016-00802572016.06.27KR

(62)分案原申请数据

201611129796.62016.12.09

(73)专利权人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人李南宰

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002

专利代理师赵永莉李青

(51)Int.CI.

H10B41/35(2023.01)

H10B41/41(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

(56)对比文件

CN107546229A,2018.01.05

CN102110690A,2011.06.29

审查员孙程程

权利要求书5页说明书13页附图22页

(54)发明名称

半导体装置及其制造方法

(57)摘要

CN111952310B本发明提供一种半导体装置，其可包括第一单元结构、第二单元结构、焊盘结构、电路以及一个或多个开口。焊盘结构可设置在第一单元结构和第二单元结构之间，并可电联接到第一单元结构和第二单元结构。焊盘结构可具有多个阶梯结构。电路可设置在焊盘结构下方。一个或多个开

CN111952310B

CN111952310B权利要求书1/5页

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1.一种半导体装置，包括：

第一单元结构；

第二单元结构；

焊盘结构，设置在所述第一单元结构和所述第二单元结构之间，并且共同电联接到所述第一单元结构和所述第二单元结构，所述焊盘结构具有多个阶梯结构；

一个或多个开口，穿过所述焊盘结构；

电路，设置在所述焊盘结构的所述一个或多个开口的下方，

其中所述多个阶梯结构包括：

第一阶梯结构，包括彼此堆叠的第一焊盘，所述第一焊盘电联接到所述第一单元结构和所述第二单元结构；

第二阶梯结构，包括彼此堆叠的第二焊盘，所述第二焊盘电联接到所述第一单元结构和所述第二单元结构；以及

第三阶梯结构，包括彼此堆叠的第三焊盘，所述第三焊盘电联接到所述第一单元结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述开口包括：

第一开口，设置在所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构之间，并且形成为使所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此隔离；以及

第二开口，设置在所述第二阶梯结构和所述第三阶梯结构之间，并且形成为使所述第二焊盘和所述第三焊盘彼此隔离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

第一互连结构，将所述第一焊盘和所述第三焊盘彼此电联接，并且通过所述开口将所述第一焊盘和所述第三焊盘联接到所述电路；以及

第二互连结构，将所述第二焊盘彼此电联接，并且通过所述开口将所述第二焊盘联接到所述电路。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘结构包括：

第一线结构，包括彼此堆叠的第一线，所述第一线电联接到各自的所述第一焊盘；

第二线结构，包括彼此堆叠的第二线，所述第二线电联接到各自的所述第二焊盘；以及

第三线结构，包括彼此堆叠的第三线，所述第三线电联接到各自的所述第三焊盘，并且

其中在所述第一线至所述第三线之中，设置在相同水平处的第一线至第三线彼此隔离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：

所述第一单元结构包括彼此堆叠的第一源极选择线和彼此堆叠的第二源极选择线，并且在所述第一源极选择线和所述第二源极选择线之中，设置在相同水平处的第一源极选择线和第二源极选择线彼此隔离；以及

所述第二单元结构包括彼此堆叠的第三源极选择线和彼此堆叠的第四源极选择线，并且在所述第三源极选择线和所述第四源极选择线之中，设置在相同水平处的第三源极选择线和第四源极选择线彼此隔离。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

所述第一线电联接到各自的所述第一源极选择线；

所述第二线中的每个共同联接到所述第二源极选择线和所述第三源极选择线之中的

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