CN119604018A 垂直式纳米片反向器结构制作方法及反向器结构 （上海华力集成电路制造有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604018A(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411525171.6

(22)申请日2024.10.29

H01L21/768(2006.01)

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址201203上海市浦东新区康桥东路298

号1幢1060室

(72)发明人翁文寅

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211专利代理师焦天雷

(51)Int.CI.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H01L23/522(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

垂直式纳米片反向器结构制作方法及反向器结构

(57)摘要

CN119604018A本发明公开了一种垂直式纳米片反向器结构制作方法，包括：提供体硅；执行BPR工艺；形成多层堆叠外延结构；形成垂直导电通道；形成栅极；形成隔离侧墙；制作器件背面底部第一外延，第一外延用于连接BPR;制作器件背面底部第二外延，第二外延用于连接两个器件源区；形成SOC层；移除顶部外延层；形成互连介质层；形成顶部外延；形成顶部外延层接触；通过双重图形制作纳米片；形成高介电常数绝缘体金属栅极；通过背面接触孔连接BPR和底部器件漏区，通过背面接触孔连接两个器件源区，通过接触孔连接顶部器件漏区和金属层，执行后端工艺。本发明能减少芯片的物理尺寸，降低接触孔在多层交替堆叠结构外连的工艺复杂程度，便于生产实施，也有

CN119604018A

提供体硅

执行BPR

形成纳米片多层堆叠外延结构

形成垂直导电通道

形成栅极

形成隔离侧墙

制作器件背面底部第一外延用于连接BPR

制作器件背面底部第二外延用于连接两个器件源区

执行后端工艺

形成高介电常数绝缘体金属栅极

硅锗蚀刻通过双重图形制作纳米片

形成顶部外延层接触

形成顶部外延

形成互连介质层

移除顶部外延层

执行旋涂SOC及SOC回刻蚀

CN119604018A权利要求书1/1页

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1.一种垂直式纳米片反向器结构制作方法，其特征在于，包括以步骤：

S1,提供体硅；

S2,执行BPR工艺；

S3,形成纳米片多层堆叠外延结构；

S4,形成纳米片晶体管的垂直导电通道；

S5,形成栅极；

S6,形成隔离侧墙，定义晶体管的源区、漏区和栅区的轮廓；

S7,制作器件背面底部第一外延，第一外延用于连接BPR;

S8,制作器件背面底部第二外延，第二外延用于连接两个器件源区；

S9,执行旋涂SOC及SOC回刻蚀，形成SOC层；

S10,移除顶部外延层；

S11,沉积互连层介质并回刻蚀，形成互连介质层；

S12,形成顶部外延；

S13,形成顶部外延层接触；

S14,硅锗蚀刻通过双重图形制作纳米片；

S15,形成高介电常数绝缘体金属栅极；

S16,通过背面接触孔连接BPR和底部器件漏区，通过背面接触孔连接两个器件源区，通过接触孔连接顶部器件漏区和金属层，执行后端工艺。

2.如权利要求1所述的垂直式纳米片反向器结构制作方法，其特征在于，实施步骤S3时，采用SiGe层、Si层、SiGe层和Si外延形成所述多层堆叠外延结构。

3.如权利要求1所述的垂直式纳米片反向器结构制作方法，其特征在于：其能用于小于等于16nm工艺节点。

4.如权利要求3所述的垂直式纳米片反向器结构制作方法，其特征在于：其能用于逻辑

器件。

5.如权利要求1所述的垂直式纳米片反向器结构制作方法，其特征在于：其由两个相反类型掺杂的互补场效应晶体管垂直布置形成。

6.一种垂直式纳米片反向器结构，其特征在于：

其体硅中形成有BPR,所述BPR由接触孔连接底部器件漏区；

其顶部器件源区和底部器件源区由接触孔连接；

其顶部器件漏区由接触孔连接连接金属层。

CN119604018A说明书1/5页

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垂直式纳米片反向器结构制作方法及反向器结构

技术领域

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