CN119451560A 一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器及其制作方法 （福建理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119451560A(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202411566684.1

(22)申请日2024.11.05

(66)本国优先权数据

202411199423.02024.08.29CN

(71)申请人福建理工大学

地址350100福建省福州市闽侯县上街镇

学府南路69号

(72)发明人张国成唐建川赖秉琳王弘禹

曾自力

(74)专利代理机构福州君诚知识产权代理有限

公司35211专利代理师戴雨君

(51)Int.CI.

H1ON70/20(2023.01)

H1ON70/00(2023.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器及其制作方法

(57)摘要

CN119451560A本发明公开了一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器及其制作方法。所述忆阻器器件从下往上依次为基底、阻变层、吸光层和顶电极，所述基底为P型高掺杂的纯硅片的底电极，阻变层为氧化物薄膜层，吸光层为P型有机半导体聚合物薄膜层，顶电极为热蒸发的银电极。本发明制作的人工光电神经元忆阻器器件，其阻变层材料是氧化物，由于氧化物材料富含氧空位，形成导电丝的过程中，氧空位有助于形成导电丝，使得最后形成的导电丝是由银原子簇与氧空位一起构成的，因此相较于纯银导电丝，这种复合导电丝形成的更快，所需的正向阈值电压更低，并且该器件能够模拟神经元中的不应期行为，也能够

CN119451560A

Ag

IDT-BT

ZnO

Si

130

120

110

100

CN119451560A权利要求书1/1页

2

1.一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器，其特征在于，所述忆阻器器件从下往上依次为基底、阻变层、吸光层和顶电极，所述基底为P型高掺杂的纯硅片的底电极，所述阻变层为氧化物薄膜层，所述吸光层为P型有机半导体聚合物薄膜层，所述顶电极为热蒸发的银电极。

2.根据权利要求1所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器，其特征在于，所述氧化物薄膜层由氧化锌或铟镓锌氧化物成型。

3.根据权利要求1所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器，其特征在于，所述P型有机半导体聚合物为茚并二噻吩共苯并噻二唑共聚物或聚-3,6-二噻吩-2-基-2,5-二(2-癸基十四烷基)-吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮-alt-噻吩乙烯噻吩-2,5-二基 (PDVT-10)。

4.根据权利要求1所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器，其特征在于，所述阻变层的厚度为20~100nm,吸光层的厚度为20~100nm,顶电极的厚度为40~60nm。

5.如权利要求1~4任一项所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:以P型高掺杂的纯硅片为基底，将衬底硅片置于超声波清洗槽中进行清洗，清洗完后立即用氮气喷枪吹干衬底表面残留的液体，随后将清洗后的硅片用640~680W的氧等离子体功率处理10~15分钟，用于改善表面的亲水性；

S2:配制氧化物薄膜层溶液作为阻变层材料，将阻变层材料旋涂于步骤S1处理后的基底上，阻变层材料旋涂成膜后，将基底置于加热台上进行加热处理，得到阻变层；

S3:将P型有机半导体聚合物溶于有机溶剂中，加热搅拌之后得到吸光层材料，将吸光层材料旋涂于阻变层上，并置于加热台上进行加热处理，得到吸光层；

S4:通过热蒸发方式将银颗粒蒸发在吸光层上，得到银电极。

6.根据权利要5所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，所述的衬底硅片置于超声波清洗槽中，依次用丙酮、异丙醇和去离子水清洗5~10分

钟。

7.根据权利要5所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，步骤S2中的氧化物薄膜层溶液为氧化锌溶液，其制备方法为；将乙酸锌溶于二甲基亚砜和中，搅拌溶解得到A液，将四甲基氢氧化铵溶于乙醇中，搅拌溶解得到B液，将A液和B液混合进行水浴加热，然后加入乙酸乙酯，进行离心处理，最后加入正丁醇溶解沉淀物，得到氧化锌溶液。

8.根据权利要5所述的一种双重导电丝的人工光电神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，步骤S2中的氧化物薄膜层溶液为铟镓锌氧化物溶液，其制备方法为；将硝酸铟、硝酸镓以及二水合乙酸锌分别作为铟源、镓源以及锌源，加入