CN118040475A 高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法 （广东中科半导体微纳制造技术研究院）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118040475A

(43)申请公布日2024.05.14

(21)申请号202211373228.6

(22)申请日2022.11.03

(71)申请人广东中科半导体微纳制造技术研究

院

地址528000广东省佛山市南海区狮山镇

科教路1号

申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿

生研究所

(72)发明人张书明冯美鑫孙钱

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32256

专利代理师王锋

(51)Int.Cl.

H01S5/22(2006.01)

H01S5/024(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其

制作方法

(57)摘要

本申请公开了一种高功率基膜氮化镓基激

光器管芯结构及其制作方法。该激光器管芯结构

包括依次层叠的第一电极接触层、第一光学限制

层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二

光学限制层和第二电极接触层，第二电极接触

层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形

成激光器的脊型结构，第一、第二电极接触层分

别与第一、第二电极分别与电连接，并且激光器

管芯结构还包括高阻区，高阻区至少形成于第二

波导层内，并分布在脊型结构两侧，且与脊型结

构邻近设置；第二电极至少连续覆设于脊型结构

A表面，且与脊型结构表面直接接触。本申请的技

5术方案能够有效提高激光器的基膜激光输出功

7

4

0率，并明显改善其热特性。

4

0

8

1

1

N

C

CN118040475A权利要求书1/2页

1.一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，包括外延结构、第一电极和第二电极，所

述外延结构包括依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源

区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制

层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层

是第二导电类型的，所述第一电极、第二电极分别与第一电极接触层、第二电极接触层电连

接，并且所述第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成所述激光器

管芯结构的脊型结构；其特征在于：所述激光器管芯结构还包括高阻区，所述高阻区至少形

成于所述第二波导层内，并分布在所述脊型结构两侧，且与所述脊型结构邻近设置；以及，

所述第二电极至少连续覆设于所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触。

2.根据权利要求1所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述高阻

区至少是通过对所述第二波导层的局部区域进行离子注入处理后形成。

3.根据权利要求2所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述高阻

区是通过对所述第二波导层及发光有源区内的局部区域进行离子注入处理后形成；和/或，

+++++

所述离子注入处理采用的离子包括H、He、B、N、Ar中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述激光

器管芯结构还包括导电衬底，所述衬底的第一面与第一电极电性结合，所述外延结构形成

在所述衬底的第二面上，且所述第二电极接触层远离所述衬底设置。

5.根据权利要求1所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述第二

电极还延伸覆设于所述高阻区表面；

和/或，所述第