离子注入最详细的课件演示文稿.pptVIP

损伤区的分布与注入离子的能量、质量的关系当入射离子的初始能量较小时，以核阻挡为主，损伤较多,但损伤区的分布较浅；当入射离子的初始能量较大时，先以电子阻挡为主，损伤较少。随着离子能量的降低，逐渐过渡到以核阻挡为主，损伤变得严重，这时损伤区的分布较深。第六十三页，共130页。当入射离子的质量相对于靶原子较轻时，入射离子将受到大角度的散射，其运动轨迹呈“锯齿形”，所产生的损伤密度较小，但损伤区的范围较大。当入射离子的质量相对于靶原子较重时，入射离子的散射角较小，其运动轨迹较直，所产生的损伤密度较大，容易形成非晶区，但损伤区的范围较小。LightionimpactHeavyionimpact第六十四页，共130页。二、离子注入层的电特性注入到半导体中的受主或施主杂质大部分都停留在间隙位置处，而处在这个位置上的杂质原子是不会释放出载流子的，也就不会改变半导体的电特性，达不到掺杂的目的。经过适当温度的退火处理，可以使注入杂质原子的全部或大部分从间隙位置进入替位位置而释放出载流子，从而改变半导体的电特性。这个过程称为杂质原子的电激活。退火处理也可以减少注入损伤。第六十五页，共130页。三、退火技术目的：消除注入损伤，并使注入的杂质原子进入替位位置而实现电激活。机理：使移位原子与注入的杂质原子在高温下获得较高的迁移率而在晶体中移动，从间隙位置进入替位位置。退火技术可分为热退火与快速热退火。热退火的温度范围为300℃~1200℃。退火会改变杂质的分布。第六十六页，共130页。热退火虽然可以满足一般的要求，但也存在一些缺点：对注入损伤的消除和对杂质原子的电激活都不够完全；退火过程中还会产生二次缺陷；经热退火后虽然少子的迁移率可以得到恢复，但少子的寿命及扩散长度并不能恢复；此外，较高温度的热退火会导致明显的杂质再分布，抵消了离子注入技术固有的优点。实验发现退火后的实际杂质分布比上式预测的要深，原因是离子注入时形成的高浓度缺陷增强了杂质的扩散。这种现象称为瞬时增强扩散。可以在退火前先在500℃~650℃之间进行一次预处理来消除这些缺陷。第六十七页，共130页。5.6浅结的形成亚微米CMOS集成电路要求极浅的源漏区结深。由于硼比砷更难以形成浅结，所以形成浅P+N结要比形成浅PN+结更为困难。硼的浅结受到三个方面的影响。首先，由于硼很轻，注入的投影射程很深。降低注入能量虽然可以减小结深，但注入能量太低会影响离子束的稳定性。其次，由于硼被偏转进入主晶轴的概率较高，所以硼的沟道效应更为严重。第三，硼在高温退火时的瞬时增强扩散比较严重。第六十八页，共130页。随着MOSFET的特征尺寸小于0.1?m，源漏区的结深正在达到0.05?m，离子注入已经难以满足这种要求，人们正在研究所谓“后注入”的替代方案。1、利用硅上的介质层作为扩散源，即所谓“固-固扩散”。扩散源可以是多晶硅、掺杂玻璃或硅化物。2、利用辉光放电作为离子源来形成超浅结，即所谓“等离子浸入掺杂”。它的离子能量可以极低，而不存在离子束不稳定的问题，但是剂量不易控制。3、当在固体靶的表面覆盖有某种薄膜时，入射离子可将薄膜中的原子撞入到下面的固体靶中。利用这种效应来对半导体表面的极薄层内进行掺杂，称为“反冲注入掺杂”。第六十九页，共130页。5.7埋层介质当在硅中注入大剂量的O+、N+、C+时，可以形成SiO2、Si3N4、SiC等薄膜。特别是当用高能量注入时，可以在硅表面以下形成埋层介质。通过高能注入N+形成Si3N4的工艺称为SIMNI，而通过高能注入O+形成SiO2的工艺称为SIMOX，后者的应用更为普遍。这种技术可用于实现器件和电路的隔离。采用此技术制成的埋沟MOSFET，其寄生电容及短沟道效应都小得多。SIMOX技术的主要问题是金属沾污问题、均匀性问题和成本问题。第七十页，共130页。5.10小结本章首先描述了离子注入系统的组成部分，特别是对各种离子源和质量分析系统作了较详细的介绍。离子注入后的杂质浓度分布为高斯函