CN116193966A 一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法 （湘南学院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116193966A(43)申请公布日2023.05.30

(21)申请号202310200780.3

(22)申请日2023.03.06

(71)申请人湘南学院

地址423000湖南省郴州市苏仙区郴州大

道889号

(72)发明人唐政华郑莹美何姜罗阳炫

(74)专利代理机构长沙麓创时代专利代理事务所(普通合伙)43249

专利代理师张丽

(51)Int.CI.

H1ON

H1ON

H1ON

H10N

H1ON

30/08(2023.01)30/853(2023.01)

30/045(2023.01)

30/03(2023.01)

30/00(2023.01)

H04R17/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页

H04R17/00(2006.01)

(54)发明名称

一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法

(57)摘要

CN116193969A本发明公开了一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法，包括若干锆钛酸铅薄膜，所述锆钛酸铅薄膜通过绝缘黏贴物沿锆钛酸铅薄膜的X轴方向依次黏贴固定在一起形成压电超晶格；锆钛酸铅薄膜均沿Z轴方向进行极化，且相邻锆钛酸铅薄膜的极化方向相反，所述压电超晶格沿锆钛酸铅薄膜的Z轴方向布设有直流外加电场从而形成声开关，通过控制直流外加电场的大小，控制沿锆钛酸铅薄膜的X轴入射的声波的禁带和通带。本发明所提出的基于压电超晶格的声开关可以控制10GHz声波，且外加直流电场对禁带的调节是连续的、可逆的，且禁带调节范围

CN116193969A

CN116193966A权利要求书1/1页

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1.一种基于压电超晶格的场可调的声开关，其特征在于，包括若干锆钛酸铅薄膜，所述锆钛酸铅薄膜通过绝缘黏贴物沿锆钛酸铅薄膜的X轴方向依次黏贴固定在一起形成压电超晶格；锆钛酸铅薄膜均沿Z轴方向进行极化，且相邻锆钛酸铅薄膜的极化方向相反，所述压电超晶格沿锆钛酸铅薄膜的Z轴方向布设有直流外加电场从而形成声开关，通过控制直流外加电场的大小，控制沿锆钛酸铅薄膜的X轴入射的声波的禁带和通带。

2.如权利要求1所述的基于压电超晶格的场可调的声开关，其特征在于，所述直流外加电场通过电场控制电路施加，电场控制电路包括电源，电源的一极依次通过可调式电阻分压器和控制开关电连接有压电超晶格沿Z轴方向一端的所有锆钛酸铅薄膜，电源的另一极电连接有压电超晶格沿Z轴方向另一端的所有锆钛酸铅薄膜。

3.如权利要求1所述的基于压电超晶格的场可调的声开关，其特征在于，所述锆钛酸铅薄膜沿X轴方向的厚度为1.38μm-1.364cm。

4.如权利要求1所述的基于压电超晶格的场可调的声开关，其特征在于，压电超晶格包括1000-65536个锆钛酸铅薄膜。

5.权利要求1所述的基于压电超晶格的场可调的声开关，其特征在于，所述绝缘黏贴物为绝缘凝胶；当直流外加电场由0增加到1.342×10?V/m,靠布里渊区中心的第一禁带带宽由0.003GHz扩展到0.9GHz,第二禁带带宽由0.002GHz扩展到0.86GHz。

6.一种基于压电超晶格的场可调的声开关的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、使用晶体离子切片技术，制作厚度为1.38μm的锆钛酸铅薄膜，将锆钛酸铅薄膜沿X轴方向使用凝胶的方法粘结在一起，重复多次，直至1000个周期；

步骤二、将1000个锆钛酸铅薄膜组成的结构，放在恒温箱中直至成为一个整体形成压电超晶格；

步骤三、使用交流电场将压电超晶格中的锆钛酸铅薄膜周期性极化，每个锆钛酸铅薄膜作为一个畴，并使相邻畴具有相反的极化；

步骤四、压电超晶格的Z轴方向布设直流外加电场，形成声开关，通过控制直流外加电场的大小，控制沿锆钛酸铅薄膜的X轴入射的声波的禁带和通带。

CN116193966A说明书1/4页

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一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及电学领域，特别是涉及一种基于压电超晶格的场可调的声开关及其制作方法。

背景技术

[0002]现有的设计可调声开关的方法有2类。一种方法是通过改变一维声子晶体中1组元的相调节声子带隙，实现可调的