CN115621128A 高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管 （华中科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115621128A(43)申请公布日2023.01.17

(21)申请号202211339008.1

(22)申请日2022.10.28

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人李学飞郭琪史新航

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

专利代理师李晓飞

(51)Int.CI.

HO1L21/34(2006.01)

HO1L23/373(2006.01)

H01L29/51(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管

(57)摘要

CN115621128A本发明公开了一种高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管，包括：S1、在衬底上生成预设厚度的氧化铍薄膜作为栅介质；S2、在氧化铍薄膜上转移沟道材料，依次在沟道材料上进行电子束曝光、隔离区刻蚀和金属沉积制备电极，得到基于氧化铍衬底的二维半导体场效应晶体管。解决了传统散热办法无法满足二维半导体器件的散热需求，自热效应增加使得器件性能降低，以及需要输入更多功率从而造成能源浪费的技术问题，实现了提高热传输能力，减少

CN115621128A

在衬底上生成预设厚度的氧化铍薄膜作为栅介质

在氧化铍薄膜上转移沟道材料，依次在沟道材料上进行电子

束曝光、隔离区刻蚀和金属沉积制备电极，得到基于氧化铍

衬底的二维半导体场效应晶体管

CN115621128A权利要求书1/1页

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1.一种高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

S1、在衬底上生成预设厚度的氧化铍薄膜作为栅介质；

S2、在所述氧化铍薄膜上转移沟道材料，依次在所述沟道材料上进行电子束曝光、隔离区刻蚀和金属沉积制备电极，得到基于氧化铍衬底的二维半导体场效应晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1中，使用二乙基铍为铍源，臭氧为氧源。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述S1中，控制所述二乙基铍预热温度为40~60摄氏度，生长温度为200～300摄氏度。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述S2中，所述二乙基铍和所述臭氧的载气脉冲时间为0～1秒，氮气吹扫时间为5～20秒。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化铍薄膜的预设厚度范围为1～200纳米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟道材料为二硫化钼、二硒化钼、二碲化钼、二硫化钨、二硒化钨、二硒化铼、二硒化锡、三硒化二铟或碲化镓中的一种或两种组成的异质结。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属沉积采用的金属为镍、钛、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、钨、铜、钴或铁中的一种或多种组合。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二维半导体场效应晶体管为背栅晶体管或顶栅晶体管。

9.一种高热导率二维半导体场效应晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法得到。

10.一种高热导率二维半导体场效应晶体管，包括依次层叠设置的衬底层、栅介质层、二维沟道材料层和金属电极层，其特征在于，所述栅介质层采用氧化铍薄膜。

CN115621128A说明书1/6页

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高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管

技术领域

[0001]本发明属于半导体器件领域，更具体地，涉及一种高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管。

背景技术

[0002]随着半导体器件制程的缩小和集成度的增加，功率密度正在急速增加，有源区的热量也在急速累积，随之产生自热效应。

[0003]以传统的碳化硅衬底氮化镓器件为例，对其集成电路的热阻分析表明，沟道处的热阻占比最大为百分之四十七，解决沟道区的热功耗累积是降低总热阻的主要方式。它工作时其沟道处产生的热量首先通过氮化镓外延层传递至碳化硅衬底，然后传递至芯片封装的热沉上进行耗散，在这个过程中氮化镓与碳化硅的低导热能力