CN115605067A 基于金属衬底的耐高温微纳米薄膜温度传感器及制作方法 （中冶赛迪工程技术股份有限公司（Cn））.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115605067A(43)申请公布日2023.01.13

(21)申请号202211247676.1

(22)申请日2022.10.12

B82Y15/00(2011.01)

(71)申请人中冶赛迪工程技术股份有限公司地址400013重庆市渝中区双钢路1号

申请人中冶赛迪技术研究中心有限公司

(72)发明人冯科杨玉漆锐谭庆邓惠丹段青松陈南菲

(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司11275

专利代理师杨柳岸

(51)Int.CI.

H10N10/17(2023.01)

H10N10/01(2023.01)

GO1K7/02(2021.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

基于金属衬底的耐高温微纳米薄膜温度传感器及制作方法

(57)摘要

CN115605067A本发明涉及一种基于金属衬底的耐高温微纳米薄膜温度传感器及制作方法，属于传感器技术领域。传感器主要包括金属基底、粘结层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一极传感层、第二极传感层、第三绝缘层、第四绝缘层、导电种子层、保护层和导线。制作步骤为：1)在金属基底上沉积粘结层；在粘结层表面上沉积第一绝缘层和第二绝缘层。2)制作第一极传感层和第二极传感器。3)沉积第三绝缘层和第四绝缘层。4)在第四绝缘层表面依次沉积粘结层和导电种子层。5)在种子层上沉积保护层，从而形成三明治层状封装结构。本发明适用于1000℃高温环境下的局部多点动

CN115605067A

CN115605067A权利要求书1/2页

2

1.一种基于金属衬底的耐高温微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：主要包括金属基底(1)、粘结层(2)、第一绝缘层(301)、第二绝缘层(302)、第一极传感层(501)、第二极传感层(502)、第三绝缘层(601)、第四绝缘层(602)、导电种子层(8)、保护层(9)、传感器焊盘(10)和导线(11);

所述金属基底(1)上依次沉积粘结层(2)、第一绝缘层(301)和第二绝缘层(302);

所述第二绝缘层(302)上依次沉积粘结层(2)和第一极传感层(501);

所述第一极传感层(501)上集成若干温差电偶回路；

所述第一极传感层(501)上具有连接导线(11)的传感器焊盘(10);

所述第一极传感层(501)上依次沉积粘结层(2)和第二极传感层(502);

所述第二极传感层(502)上集成若干温差电偶回路；

所述第二极传感层(502)上具有连接导线(11)的传感器焊盘(10);

所述第二极传感层(502)上依次沉积粘结层(2)、第三绝缘层(601)、第四绝缘层(602)、粘结层(2)和导电种子层(8);

所述导电种子层(8)上沉积保护层(9);

所述导线(11)的一端连接传感器焊盘(10)。

2.根据权利要求书1所述的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：

所述导电种子层(8)厚度范围为10nm～100nm;

所述粘结层(2)厚度范围为10nm～100nm;

所述第一绝缘层(301)厚度范围为500nm～1500nm;

所述第二绝缘层(302)厚度范围为20nm～100nm;

所述第三绝缘层(601)厚度范围为750nm～1800nm;

所述第四绝缘层(602)厚度范围为20nm～100nm;

所述第一极传感层(501)和第二极传感层(502)厚度范围为300nm～900nm。

3.根据权利要求书1所述的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于，温差电偶回路的两极材料包括NiCr—NiAlMnSi、NiCr—NiAl和/或NiCr—NiSi合金。

4.根据权利要求书1所述的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于：

所述第一绝缘层(301)、第二绝缘层(302)、第三绝缘层(601)和第四绝缘层(602)的材料为氧化物陶瓷；

所述粘结层(2)的材料为金属铬；

所述第一极传感层(501)和第二极传感层(502)的材料为镍基合金；

所述导电种子层(8)的材料为金属镍；

所述保护层(9)的材料为金属镍；

所述导线(11)的材料为导电银胶。

5.根据权利要求书1所述的微纳米薄膜温度传感器，其特征在于，所述传感器焊盘(10)裸露。

6.一种制作基于金属衬底的耐高温微纳米薄膜温度传感器的方法，其特