CN114609502A 于失效分析中观察失效区域的样品制作方法 （华星光通科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114609502A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202011341189.2

(22)申请日2020.11.25

(71)申请人华星光通科技股份有限公司地址中国台湾桃园市

(72)发明人林俸妍邓雅心唐忠毅

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师陈小雯

(51)Int.CI.

GO1R31/28(2006.01)

GO1R31/26(2014.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

提供一芯片，将进行失效分析在该芯片周围点上保护胶固定在一小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损

提供一芯片，将进行失效分析

在该芯片周围点上保护胶固定在一小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损

将该芯片倒置困定在一支撑基板上

灌入卸取胶使该芯片能困定在一承载基板上

研磨至露出该芯片的半导体层后抛光

对于该芯片给小电流进行失效区域判断

若需后续分析再将该芯片从却取胶中取出

-S10

S50

S70

(57)摘要

CN114609502A本发明公开一种于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，包括以下步骤，首先，提供一芯片，将进行失效分析。其次，在该芯片周围点上保护胶固定在一小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损。其次，将该芯片倒置固定在一支撑基板上。最后，灌入卸取胶使该芯片能固定在一承载基板上，且在进行失效分析中在判断出失效区域后能将该芯片卸取进而确认其失效原由。本

CN114609502A

CN114609502A权利要求书1/1页

2

1.一种于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，包括以下步骤：

提供芯片，将进行失效分析；

在该芯片周围点上保护胶固定在小基板上，使该芯片在研磨时不会造成破损；

将该芯片倒置固定在支撑基板上；以及

灌入卸取胶使该芯片能固定在承载基板上，且在进行失效分析中在判断出失效区域后能将该芯片卸取进而确认其失效原由。

2.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，其中，该保护胶是AB胶、UV胶、硅胶或环氧树脂，可以保护该芯片不会受到抛光液的侧蚀导致该芯片的失效分析样品边框会有导角。

3.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，其中，将该芯片倒置固定在该支撑基板上是使用预固胶来固定。

4.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，其中，该卸取胶是蜡、热熔胶、UV胶或镶埋液。

5.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，其中，该芯片是LED发光二极管芯片、LD激光二极管芯片或集成电路芯片。

6.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，还包括，在该承载基板上形成电性导出桥梁与该芯片电连接。

7.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，还包括，将该芯片的失效分析样品研磨与抛光，再进行电致发光Electroluminescence(EL)拍摄、电子束感应电流ElectronBeam-inducedCurrent(EBIC)分析或光束感应电流OpticalBeam-inducedCurrent(OBIC)分析。

8.如权利要求8所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，还包括，研磨至露出该芯片的半导体层后抛光。

9.如权利要求1所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，还包括，在将该芯片卸取的步骤后，对于特定失效区域进行切割以及后续失效分析。

10.如权利要求9所述的于失效分析中观察失效区域的样品制作方法，还包括，对于该芯片给小电流进行失效区域判断。

CN114609502A说明书1/3页

3

于失效分析中观察失效区域的样品制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种芯片失效分析，特别是涉及一种于失效分析中观察失效区域的样品制作方法。

背景技术

[0002]近年来随着半导体元件快速发展中，半导体元件的可靠性越趋重要。为了提升产品的品质与寿命，当半导体元件在使用上或可靠度验证上发生失效时