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- 2026-02-04 发布于重庆
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(12)按照专利合作条约所公布的国际申请
(19)世界知识产权组织国际局
(43)国际公布日
2025年2月6日(06.02.2025)
WIPOIPCT
(10)国际公布号
WO2025/025920A1
(51)国际专利分类号:
HO1L31/18(2006.01)H01L31/0747(2012.01)
(21)国际申请号:PCT/CN2024/101363
(22)国际申请日:2024年6月25日(25.06.2024)
(25)申请语言:中文
(26)公布语言:中文
(30)优先权:
202310977590.22023年8月3日(03.08.2023)
(71)申请人:通威太阳能(安徽)有限公司(TONGWEI
SOLAR(ANHUD)CO.,LTD.)[CN/CN];中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。
(72)发明人:徐磊(XU,Lei);中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。顾峰(GU,
Feng);中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。余义(YU,Yi);中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。
(74)代理人:华进联合专利商标代理有限公司(ADVANCECHINAIPLAWOFFICE);中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房(部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途),Guangdong510623(CN)。
(81)指定国(除另有指明,要求每一种可提供的国家保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,
BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,
GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,
IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,
MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,
(54)Title:SOLARCELLANDPREPARATIONMETHODTHEREFOR,ANDSOLARCELLPRODUCTIONDEVICE
(54)发明名称:太阳电池及其制备方法、太阳电池生产设备
1业
对第一硅片进行第一退火处理
在本征非品硅层上沉积掺杂微品作层,得到第二韩2
对第二硅片进行第二退火处理
在掺杂微品硅展上沉积透明等屯层,得到第一硅片53
$1Depositanintrinsicamorphoussiliccnlayerona
monocrystalinesiliconwafertoobtainafirstsiliconwafer
S2Depositadopedmicracrystallinesiliconlayerontheintrinsicamorphoussiliconlayertoobtainasecondsiliconwafer
S3Depositatransparentconductivelayeronthe
dopedmicrocrystalinesliconlayertooblainathirdsiliconwafer
S4Prepareanelectrodeonthetransparentconductivelayer
S11PerformafiratannealingtreatmentonthefirstS21Performasecondannealingtreatmentonthe
Secondsiliconwafer
831Performathirdannealingtreatmentonthethirdsiliconwafer
对第.灌片进行第三退火处理
在透
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