WO2025025920A1 太阳电池及其制备方法、太阳电池生产设备 (通威太阳能(安徽)有限公司).docxVIP

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  • 2026-02-04 发布于重庆
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WO2025025920A1 太阳电池及其制备方法、太阳电池生产设备 (通威太阳能(安徽)有限公司).docx

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年2月6日(06.02.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/025920A1

(51)国际专利分类号:

HO1L31/18(2006.01)H01L31/0747(2012.01)

(21)国际申请号:PCT/CN2024/101363

(22)国际申请日:2024年6月25日(25.06.2024)

(25)申请语言:中文

(26)公布语言:中文

(30)优先权:

202310977590.22023年8月3日(03.08.2023)

(71)申请人:通威太阳能(安徽)有限公司(TONGWEI

SOLAR(ANHUD)CO.,LTD.)[CN/CN];中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。

(72)发明人:徐磊(XU,Lei);中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。顾峰(GU,

Feng);中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。余义(YU,Yi);中国安徽省合肥市高新区长宁大道888号,Anhui230088(CN)。

(74)代理人:华进联合专利商标代理有限公司(ADVANCECHINAIPLAWOFFICE);中国广东省广州市天河区珠江东路6号4501房(部位:自编01-03和08-12单元)(仅限办公用途),Guangdong510623(CN)。

(81)指定国(除另有指明,要求每一种可提供的国家保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,

BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,

(54)Title:SOLARCELLANDPREPARATIONMETHODTHEREFOR,ANDSOLARCELLPRODUCTIONDEVICE

(54)发明名称:太阳电池及其制备方法、太阳电池生产设备

1业

对第一硅片进行第一退火处理

在本征非品硅层上沉积掺杂微品作层,得到第二韩2

对第二硅片进行第二退火处理

在掺杂微品硅展上沉积透明等屯层,得到第一硅片53

$1Depositanintrinsicamorphoussiliccnlayerona

monocrystalinesiliconwafertoobtainafirstsiliconwafer

S2Depositadopedmicracrystallinesiliconlayerontheintrinsicamorphoussiliconlayertoobtainasecondsiliconwafer

S3Depositatransparentconductivelayeronthe

dopedmicrocrystalinesliconlayertooblainathirdsiliconwafer

S4Prepareanelectrodeonthetransparentconductivelayer

S11PerformafiratannealingtreatmentonthefirstS21Performasecondannealingtreatmentonthe

Secondsiliconwafer

831Performathirdannealingtreatmentonthethirdsiliconwafer

对第.灌片进行第三退火处理

在透

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