CN113488591A 一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管及其制作方法 （南京大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN113488591A布日2021.10.08

(21)申请号202110758937.5

(22)申请日2021.07.05

(71)申请人南京大学

地址210046江苏省南京市栖霞区仙林大

道163号

(72)发明人张磊车钰姜百川

(74)专利代理机构苏州科洲知识产权代理事务所(普通合伙)32435

代理人周亮

(51)Int.CI.

HO1L51/05(2006.01)

H01L51/10(2006.01)

HO1L51/40(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN113488591A本发明提供了一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管的制作方法：1)在玻璃基底表面用钼片掩模，热蒸镀铬作为金与玻璃的黏附层，再蒸镀金电极作为源电极和漏电极，然后利用光刻在金电极上做出预设的栅极图案；2)用湿法刻蚀去除多余的铬和金，将栅极图案中连接着的金电极分隔成源电极和漏电极；3)用掩模版热蒸镀与金相同厚度的铝作为栅电极，然后用氧等离子体处理栅电极，在铝上原位生长氧化铝作为介电层；4)将蒸镀好电极的基片放入预热80℃的DMSO中超声5min

CN113488591A

明制作方法制作的晶体管电极处于同一水平高度，该结构能够保证寄生重叠为0,将寄生电容完全消除。

在玻璃基底表面用钼片掩模

在玻璃基底表面用钼片掩模

热蒸镀铬作为金与玻璃的黏附层

再蒸镀金电极作为源电极和漏电极

然后利用光刻在金电极上做出预设的栅极图案

用湿法刻蚀去除多余的铬和金

将栅极图案中连接着的金电极分隔成源电极和漏电极

用掩模版热蒸镀与金相同厚度的铝作为栅电极

然后用氧等离子体处理栅电极

在铝上原位生长氧化铝作为介电层

将蒸镀好电极的基片放入预热80℃的DMSO中

超声5min两次

再将溶液换为丙酮继续超声5min后

再换为异丙醇超声5min后用氮气吹干

CN113488591A权利要求书1/2页

2

1.一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管，其特征在于，其包括：

基底(1)、源电极(301)、栅电极(501)、介电层(502)、漏电极(302);

源电极(301)、栅电极(501)和漏电极(302)设置在基底(1)上；

介电层(502)位于栅电极(501)上；

源电极(301)和漏电极(302)与基底(1)之间分别设置有黏附层(2);

源电极(301)、栅电极(501)和漏电极(302)处于同一水平高度。

2.根据权利要求1所述的一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管，其特征在于，基底(1)的材料为玻璃或硅中的一种，源电极(301)和漏电极(302)的材料为金。

3.根据权利要求2所述的一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管，其特征在于，栅电极(501)的材料为铝，介电层(502)的材料为氧化铝。

4.根据权利要求3所述的一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管，其特征在于，黏附层(2)的材料为铬。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1:在玻璃基底(1)表面用钼片掩模，蒸镀铬作为金与玻璃的黏附层(2),再蒸镀金电极(3)作为源电极(301)和漏电极(302),然后利用光刻在金电极(3)上做出预设的栅极图案，其整体称为基片；

步骤2:用湿法刻蚀去除多余的铬和金，将栅极图案中连接着的金电极(3)分隔成源电极(301)和漏电极(302);

步骤3:用掩模版蒸镀与金相同厚度的铝作为栅电极(501),然后用氧等离子体处理栅电极(501),在铝上原位生长氧化铝作为介电层(502);

步骤4:将蒸镀好电极的基片放入预热80℃的DMSO中，超声5min两次，再将溶液换为丙酮，继续超声5min后换为异丙醇超声5min后用氮气吹干。

6.根据权利要求5所述的一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤1中光刻包括以下步骤：

S101:将带有金电极(3)的基底(1)置于匀胶机上，滴加约80mL4.4cp光刻胶(