CN113381293B 贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113381293B(45)授权公告日2022.08.16

(21)申请号202110453120.7

(22)申请日2021.04.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113381293A

(43)申请公布日2021.09.10

(73)专利权人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

(72)发明人何晓颖忻向军饶岚张琦杨雷静胡宗海

(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413

专利代理师马敬赵元

(51)Int.CI.

HO1S5/06(2006.01)

HO1S5/20(2006.01)

H01S5/34(2006.01)

H01S5/00(2006.01)

(56)对比文件

CN102664347A,2012.09.12

CN201690111U,2010.12.29

CN209640518U,2019.11.15

US2008031301A1,2008.02.07

US6542527B1,2003.04.01CN112467516A,2021.03.09

审查员朱磊

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法

(57)摘要

CN113381293B本公开实施例提供了一种贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法，该贝塞尔光束发射器包括：有源层，有源层包括用于产生光束的发光子层；上分布反射镜层，上分布反射镜层位于有源层的一侧，上分布反射镜层包括偶数数量个第一折射率子层；下分布反射镜层，下分布反射镜层位于有源层的另一侧，下分布反射镜层包括偶数数量个第二折射率子层，第一折射率子层的数量小于第二折射率子层的数量；欧姆接触层，欧姆接触层位于上分布反射镜层的远离有源层的一侧，欧姆接触层用于连接电极；光束转换层，光束转换层位于欧姆接触层远离上分布反

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CN113381293B权利要求书1/2页

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1.一种贝塞尔光束发射器，其特征在于，包括：

有源层，所述有源层包括用于产生光束的发光子层；

上分布反射镜层，所述上分布反射镜层位于所述有源层的一侧，所述上分布反射镜层包括偶数数量个第一折射率子层；

下分布反射镜层，所述下分布反射镜层位于所述有源层的另一侧，所述下分布反射镜层包括偶数数量个第二折射率子层，所述第一折射率子层的数量小于所述第二折射率子层的数量；

欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述上分布反射镜层的远离所述有源层的一侧，所述欧姆接触层用于连接电极，以使所述电极产生的载流子注入所述有源层；

光束转换层，所述光束转换层位于所述欧姆接触层的远离所述上分布反射镜层的一侧，所述有源层产生的光束能够进入所述光束转换层，所述光束转换层能够对所述光束进行转换得到贝塞尔光束；

所述光束转换层包括多个砷化铝镓子层，且所述多个砷化铝镓子层中的铝组分沿远离所述上分布反射镜层的方向逐渐增加；

所述光束转换层的形状呈圆柱状，且所述光束转换层包括位于中心区域的半导体锥状部，以及围绕所述半导体锥状部的第一氧化部；

或者，

所述光束转换层的形状呈圆锥状，且所述圆锥状的顶部远离所述上分布反射镜层。

2.根据权利要求1所述的贝塞尔光束发射器，其特征在于，还包括：

氧化限制层，所述氧化限制层位于所述有源层的远离所述下分布反射镜层的一侧，所述氧化限制层包括位于中心的高铝组分部和围绕所述高铝组分部的第二氧化部；

腐蚀停层，所述腐蚀停层位于所述欧姆接触层和所述光束转换层之间。

3.根据权利要求1所述的贝塞尔光束发射器，其特征在于，所述发光子层包括量子阱结构、量子点结构或量子线结构中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的贝塞尔光束发射器，其特征在于，所述有源层还包括：

上限制子层，所述上限制子层位于所述发光子层靠近所述上分布反射镜层的一侧；

下限制子层，所述下限制子层位于所述发光子层远离所述上分布反射镜层的一侧。

5.根据权利要求1至4任一项所述的贝塞尔光束发射器，其特征在于，还包括：

衬底，所述衬底位于所述下分布反射镜层远离所述有源层的一侧，所述衬底的材料为半导体；