CN113811085A 基于刻蚀约束体系的电解质溶液及液晶聚合物基板的微孔制作方法 （青岛科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113811085A

(43)申请公布日2021.12.17

(21)申请号202110993064.6

(22)申请日2021.08.27

(71)申请人青岛科技大学

地址266061山东省青岛市崂山区松岭路

99号

申请人安捷利电子科技(苏州)有限公司

(72)发明人王峰刘喜梅柴志强潘丽

(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

代理人俞春雷

(51)Int.CI.

HO5K3/00(2006.01)

HO5K3/06(2006.01)

HO5K3/07(2006.01)

C25F3/14(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

基于刻蚀约束体系的电解质溶液及液晶聚合物基板的微孔制作方法

(57)摘要

CN113811085A本发明公开了一种基于刻蚀约束体系的电解质溶液，所述电解质溶液用于对液晶聚合物基板的铜层和液晶聚合物层进行刻蚀并形成微孔；所述电解质溶液包括刻蚀剂前驱体和约束剂；所述电解质溶液包括分别对铜层和液晶聚合物层进行刻蚀的铜层电解质溶液和液晶聚合物层电解质溶液；所述铜层的电解质溶液中的刻蚀剂前驱体为FeCl?,约束剂为SnCl?;所述液晶聚合物层的电解质溶液中的刻蚀剂前驱体为锰酸钾，约束剂为过氧化氢。本发明的一种基于刻蚀约束体系的电解质溶液，通过该电解质溶液能够基于刻蚀约束技术对LCP柔性基板的铜层和LCP层进行通电刻蚀，能够在LCP

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10

10

5

三维运动平台

6

电化学工作站

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9

18-

Cu

LCPCu

电脑

CN113811085A权利要求书1/1页

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1.一种基于刻蚀约束体系的电解质溶液，其特征在于，所述电解质溶液用于对液晶聚合物基板的铜层和液晶聚合物层进行刻蚀并形成微孔；所述电解质溶液包括刻蚀剂前驱体和约束剂；所述电解质溶液包括分别对铜层和液晶聚合物层进行刻蚀的铜层电解质溶液和液晶聚合物层电解质溶液；

所述铜层的电解质溶液中的刻蚀剂前驱体为FeCl?,约束剂为SnCl?;

所述液晶聚合物层的电解质溶液中的刻蚀剂前驱体为锰酸钾，约束剂为过氧化氢。

2.根据权利要求1所述的电解质溶液，其特征在于，所述电解质溶液中FeCl?与SnCl?的摩尔比为0.1～0.5:1。

3.根据权利要求2所述的电解质溶液，其特征在于，所述铜层的电解质溶液中还包括络合剂，所述络合剂在所述铜层的电解质溶液中的摩尔浓度为0.01～0.02mol/L。

4.根据权利要求3所述的电解质溶液，其特征在于，所述络合剂为2,2-联吡啶，所述铜层的电解质溶液包括HC1;所述FeCl?、2,2-联吡啶、SnCl?、HC1摩尔比为0.1～0.3:0.03~

0.09:1:0.5～1.5。

5.根据权利要求1所述的电解质溶液，其特征在于，所述锰酸钾与过氧化氢的质量比为2～4:1。

6.根据权利要求5所述的电解质溶液，其特征在于，所述液晶聚合物层的电解质溶液还包括增溶剂，所述增溶剂在所述液晶聚合物层的电解质溶液中的重量百分比为10%~15%。

7.根据权利要求6所述的电解质溶液，其特征在于，所述增溶剂为乙二胺；所述液晶聚合物层的电解质溶液包括K?MnO?、KOH、乙二胺、H?O?;所述液晶聚合物层的电解质溶液中K?MnO?、KOH、乙二胺、H?O?的质量比为35～38:2～5:10～13:12～15。

8.根据权利要求1所述的电解质溶液，其特征在于，采用所述铜层电解质溶液对所述铜层进行刻蚀时的参数为：恒电流电解，电流密度为10～15mA/cm2,体系温度为35℃-40℃。

9.根据权利要求1所述的电解质溶液，其特征在于，采用所述液晶聚合物电解质溶液对所述液晶聚合物层进行刻蚀时的参数为：恒电流电解，电流密度为16～20mA/cm2,体系温度为75℃-90℃。

10.一种根据权利要求1-9任意一项所述的电解质溶液对液晶聚合物基板进行微孔制作的方法。

CN113811085A说明书