CN110926620B 一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构 （北京振兴计量测试研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

公

公

(45)授权

(10)授权公告号CN110926620B告日2021.02.26

(21)申请号201811092252.6

(22)申请日2018.09.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110926620A

(43)申请公布日2020.03.27

(73)专利权人北京振兴计量测试研究所

地址100074北京市丰台区云岗北区西里1

号院30号楼

(72)发明人宋春晖曹清政王加朋王莹莹

(51)Int.CI.

GO1J5/02(2006.01)

GO1J5/08(2006.01)

(56)对比文件

CN105334636A,2016.02.17

CN104236724A,2014.12.24

CN103308185A,2013.09.18

US2006136172A1,2006.06.22

审查员朱磊

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构

(57)摘要

CN110926620B本发明提供了一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构，红外靶标包括单晶硅基底，单晶硅基底的厚度为100μm,单晶硅基底上设置有镂空图形，单晶硅基底的反射面上设置有高反射率膜，高反射率膜上设置有保护膜；采用单晶硅作为基底，使其在镂空图形的加

CN110926620B

制备单晶硅基底

制备单晶硅基底

对所述单晶硅基底的反射面进行抛光处理

对所述单晶硅基底进行图案化，形成镂空图形

在所述单晶硅基底的反射面上皱高反射率膜

在所述高反射率膜上艘保护膜，形成红外靶标

将所述红外靶标安装于所述保护结构中

对所述红外靶标进行尺寸测量和反射率测量

乡骤301

步骤S302

步骤S303

步骤304

步骤S305

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步骤S307

CN110926620B权利要求书1/1页

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1.一种基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，包括单晶硅基底；

所述单晶硅基底的厚度为100μm;

所述单晶硅基底上设置有镂空图形；

所述单晶硅基底为圆形结构，所述镂空图形设置在所述单晶硅基底的几何中心处；

所述镂空图形为四杆靶，所述四杆靶的狭缝宽度为44μm至56μm,狭缝长度为350μm;

所述单晶硅基底的反射面上设置有高反射率膜；

所述高反射率膜上设置有保护膜。

2.根据权利要求1所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述高反射率膜为金膜，所述保护膜为硫化锌膜。

3.根据权利要求2所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述高反射率膜的厚度为150nm,所述保护膜的厚度为200nm。

4.一种基于单晶硅基底的红外靶标的制作方法，其特征在于，包括：

制备单晶硅基底；

对所述单晶硅基底的反射面进行抛光处理；

采用激光切割对所述单晶硅基底进行图案化，形成镂空图形；

在所述单晶硅基底的反射面上镀高反射率膜；

在所述高反射率膜上镀保护膜，形成红外靶标；

将所述红外靶标安装于保护结构中；

对所述红外靶标进行尺寸测量和反射率测量；

对所述红外靶标进行反射率测量，包括：

将标准点源黑体加热至500℃,采用热像仪对准标准点源黑体的辐射口，获得辐射口的第一温场图像；

将所述红外靶标与所述标准点源黑体的辐射呈45°放置，获得辐射口经红外靶标后的第二温场图像；

根据所述第一温场图像和第二温场图像计算获得温度平均值，根据所述温度平均值计算红外靶标的反射率；

所述反射率通过以下公式进行计算：

ε=(Te/Ts)?;

其中，ε为反射率，Te为通过第二温场图像获得的温度平均值，Ts为通过第一温场图像获得的温度平均值。

CN110926620B说明书1/5页

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一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构

技术领域

[0001]本发明涉及红外探测技术领域，尤其涉及一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构。

背景技术

[0002]红外探测设备对目标的识别主要取决于目标与背景间微小的温差或由发射率差引起的热辐射分布图像。目标形状的大小、灰度分布等物理特性是其识别的理论基础。所以在对目标进行模拟时不仅要模拟出一定空间分辨率的目标形状，而且