CN109742172A 旋涂硼源激光掺杂制作n型选择性发射极双面电池的方法 （华东理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109742172A

(43)申请公布日2019.05.10

(21)申请号201910017046.7

(22)申请日2019.01.08

(71)申请人华东理工大学

地址200237上海市徐汇区梅陇路130号

申请人浙江启鑫新能源科技股份有限公司

(72)发明人杨金霖袁晓李红波柳翠梁海杨宁李士正

(74)专利代理机构上海科盛知识产权代理有限公司31225

代理人陈亮

(51)Int.CI.

HO1L31/068(2012.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图1页

(54)发明名称

旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法

(57)摘要

CN109742172A本发明涉及旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。与现有技术相比，本发明采用旋涂法将硼源涂覆在硅片正面，利用扩散后正面形成的BSG选择性激光掺杂，使得电极下方区域重掺杂硼，有效降低接

CN109742172A

CN109742172A权利要求书1/1页

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1.旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。

2.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正面旋涂时将制绒甩干后的硅片表面先旋涂一层预湿液，每片预湿液的量为0.3~1ml,然后再旋涂硼源，硼源的量为0.5～2ml,旋转速度为1000～4000r/min,旋转时间为2~10s,最后将硅片在150～300℃条件下烘干5～30s。

3.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，将正面旋涂好硼源的硅片放入管式扩散炉中进行高温扩散，扩散温度控制在930~1000℃,形成正面浅掺杂发射极和40～100nm厚度的BSG,扩散后表面方阻控制在80~200ohm/sq。

4.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正面的重掺杂发射极采用BSG激光掺杂法完成，重掺杂发射极区域的方阻控制在10～70ohm/sq。

5.根据权利要求4所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，激光掺杂时采用波长为355nm或532nm的激光，光斑采用方形光斑，激光功率在20W-50W之间，基频为100kHz-360kHz。

6.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正反面沉积的减反射钝化膜为SiNx、SiO?、SiOxNy、Al?O?或TiO?薄膜中的一种或者多种，厚度为50～100nm。

7.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，背面磷掺杂背表面场区域采用高温POCl?扩散、PECVD沉积PSG退火、离子注入高温退火或丝网印刷磷源高温退火工艺中的其中一种形成。

8.根据权利要求1所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，正面电极和背面电极采用丝网印刷方式形成。

9.根据权利要求8所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，所述正面电极穿过正面减反射钝化膜与重掺杂发射极形成欧姆接触。

10.根据权利要求8所述的旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，其特征在于，所述背面电极穿过背面钝化减反射膜与磷背表面场形成欧姆接触。

CN109742172A说明书1