CN110146999A 一种可调谐超材料偏振器及其制作方法 （湖南理工学院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110146999A

(43)申请公布日2019.08.20

(21)申请号201910419793.3

(22)申请日2019.05.20

(71)申请人湖南理工学院

地址414000湖南省岳阳市学院路

(72)发明人闵力王文进罗文华文于华李照宇邹新长刘均

(74)专利代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司11570

代理人刘杰

(51)Int.CI.

G02F1/01(2006.01)

GO2F1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种可调谐超材料偏振器及其制作方法

(57)摘要

CN110146699A本发明公开了一种可调谐超材料偏振器及其制作方法。在衬底上的由掺杂半导体超材料共振单元构成的超材料阵列，共振单元的第一电源端口接调控电源的正极，共振单元的第二电源端口接调控电源的负极，避免了通过线偏振器和四分之一波片来构造偏振器，缩小了体积且易于集成。此外，通过外部电场调节半导体内部载流子的浓度，实现了动态调控超材料的电磁共振强

CN110146699A

CN110146999A权利要求书1/2页

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1.一种可调谐超材料偏振器，其特征在于，包括：调控电源、衬底和形成在所述衬底上的由掺杂半导体超材料共振单元构成的超材料阵列；所述共振单元的第一电源端口接所述调控电源的正极，所述共振单元的第二电源端口接所述调控电源的负极。

2.如权利要求1所述的可调谐超材料偏振器，其特征在于，所述共振单元的周期长度大于两倍的工作波长。

3.如权利要求1所述的可调谐超材料偏振器，其特征在于，所述共振单元包括：用于激发超材料产生电磁共振的第一掺杂半导体和用于激发法诺共振的第二掺杂半导体和第三掺杂半导体；所述第一掺杂半导体的第一电源端口接所述调控电源的正极，所述第一掺杂半导体的第二电源端口接所述调控电源的负极；所述第二掺杂半导体和所述第三掺杂半导体的第一电源端口并联接入所述调控电源的正极，所述第二掺杂半导体和所述第三掺杂半导体的第二电源端口并联接入所述调控电源的负极。

4.如权利要求3所述的可调谐超材料偏振器，其特征在于，所述第二掺杂半导体和所述第三掺杂半导体对称分布在所述第一掺杂半导体的同一侧。

5.如权利要求3所述的可调谐超材料偏振器，其特征在于，所述第一掺杂半导体、所述第二掺杂半导体和所述第三掺杂半导体均为P-N型掺杂半导体。

6.如权利要求5所述的可调谐超材料偏振器，其特征在于，所述第一掺杂半导体、所述第二掺杂半导体和所述第三掺杂半导体中的P型掺杂区域和N型掺杂区域的长度比范围为1:1-10:1。

7.如权利要求1-6中任一项所述的可调谐超材料偏振器，其特征在于，所述衬底为本征半导体材料或介质材料。

8.一种可调谐超材料偏振器的制作方法，其特征在于，包括：

在基片上生长氧化物，得到含有氧化物薄膜的衬底；

掩模并刻蚀所述氧化物来开辟第一窗口，并通过所述第一窗口向所述衬底掺杂注入第一杂质，在所述衬底内部形成第一掺杂区域；

刻蚀所述衬底表面的氧化物，并在所述衬底上再次生长氧化物；

掩模并刻蚀所述氧化物来开辟第二窗口，通过所述第二窗口向所述衬底掺杂注入第二杂质，在所述衬底内部形成第二掺杂区域，且所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域的旁边；

刻蚀所述衬底上的所有氧化物，涂覆光刻胶；

将掩模板置于所述光刻胶上进行光刻显影；

移去所述掩模板，剥离所述光刻胶，并刻蚀所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域侧面周围的衬底；

在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的两侧电镀电极，接引线，形成掺杂半导体超材料偏振器。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述将掩模板置于所述光刻胶上进行光刻显影之前，还包括：

结合超材料结构单元的结构图案，制作超材料结构单元掩模板。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀所述衬底上的所有氧化物之后，还包括：

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对所述衬底的表面进行清洁。

CN110146999A说明书