CN1687729A 基于微机电系统的力敏器件的制作方法 （上海交通大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510026605.9

[51]Int.Cl?

G01L9/00

H01L43/00B81B3/00B81C1/00

[43]公开日2005年10月26日[11]公开号CN1687729A

[22]申请日2005.6.9

[21]申请号200510026605.9

[71]申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

[72]发明人周勇陈吉安丁文曹莹

周志敏

[74]专利代理机构上海交达专利事务所代理人王锡麟王桂忠

权利要求书2页说明书5页

[54]发明名称基于微机电系统的力敏器件的制作方法

[57]摘要

一种微机电系统技术领域的基于微机电系统的力敏器件的制作方法。方法如下：双面氧化过的硅衬底基片的表面清洗处理；双面甩正胶、曝光与显影及刻蚀SiO?;去光刻胶、单面刻蚀Si;溅射Fe-CuNbSiB薄膜；溅射Cu底层；甩正胶、曝光、显影；电镀Cu层；去正胶及物理刻蚀去底层；溅射顶层FeCuNbSiB薄膜；甩正胶、曝光、显影；刻蚀Fe-CuNbSiB薄膜；去正胶、深刻蚀Si;在真空炉中300℃下磁场退火半小时。本发明具有高的灵敏度和响应速度快等优点，具有广泛的用途，薄膜材料可以与大规模集成电路完全兼容，易于大批量生产，重复性好，又可以通过不同结构来提高其性能。

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知识产权出版社出版

200510026605.9权利要求书第1/2页

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1、一种基于微机电系统的力敏器件的制作方法，其特征在于，具体的步骤如下：

(1)、在清洗处理过的双面氧化的硅片衬底双面甩正胶，然后将光刻胶烘干，光刻胶厚度为5~6μm,光刻胶烘干温度为90~95℃,时间为30~60分钟；将硅片经双面曝光、显影后，在BHF腐蚀液里刻蚀二氧化硅，最后用丙酮去除所有的光刻胶，得到双面套刻对准符号及刻蚀硅的窗口；

(2)、对硅片一面进行湿法刻蚀制备硅悬臂梁，采用氢氧化钾腐蚀液刻蚀硅，刻蚀深度为100μm;

(3)、溅射软磁FeCuNbSiB薄膜，膜厚为2~6μm;

(4)、溅射Cu底层，厚度100～200nm;

(5)、甩正胶，光刻胶厚度为8μm,光刻胶烘干温度为90~95℃,时间为30~60分钟，曝光与显影，得到电镀Cu层的光刻胶掩膜图形；

(6)、电镀Cu层，厚度为2~6μm;

(7)、去正胶、用物理刻蚀方法去除Cu底层；

(8)、溅射软磁FeCuNbSiB薄膜，膜厚为2~6μm;

(9)、甩正胶，光刻胶厚度为8μm,光刻胶烘干温度为90~95℃,时间为30~60分钟，曝光与显影；

(10)、在40℃水浴中，采用专用的腐蚀液，刻蚀FeCuNbSiB薄膜；

(11)、去正胶，即形成曲折状三明治结构多层膜力敏器件；

(12)、采用夹具将这一面保护好，对另一面进行硅的深刻蚀工艺，采用氢氧化钾腐蚀液刻蚀硅，直到将硅刻穿为止，最终形成了具有悬臂梁结构的力敏传感器；

(13)、将得到的器件在真空炉中300℃下磁场退火半小时，最终形成了具有悬臂梁结构的力敏器件。

2、如权利要求1所述的MEMS技术的力敏器件的制作方法，其特征是，所述的FeCuNbSiB软磁薄膜，其制备工艺为：溅射的薄膜为非晶的FeCuNbSiB薄膜，基底的真空为8×10-5Pa,溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为4.2Pa和

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600W,氩气流量为13SCCM。

3、如权利要求2所述的MEMS技术的力敏器件的制作方法，其特征是，所述的溅射，其过程中沿薄膜的横向施加约16kA/m的磁场。

4、如权利要求1所述的MEMS技术的力敏器件的制作方法，其特征是，所述的Cu底层，其制备工艺为：基底的真空为4×10-4Pa,溅射条件选择为溅射Ar气压和溅射功率分别为0.67Pa和800W,氩气流量为20SCCM。

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