CN1901162A 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构 （米辑电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200610099491.5

[51]Int.Cl.

HO1L21/822(2006.01)

HO1L21/7682006.01)

HO1L21/60(2006.01)

HO1L27/04(2006.01)HO1L23/522(2006.01)

HO1L23/485(2006.01)

[43]公开日2007年1月24日[11]公开号CN1901162A

[22]申请日2006.7.24

[21]申请号200610099491.5

[30]优先权

[32]2005.7.22[33]US[31]60/701,849

[71]申请人米辑电子股份有限公司地址中国台湾

[72]发明人林茂雄罗心荣周秋明周健康

[74]专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司

代理人孙皓晨

权利要求书4页说明书21页附图45页

[54]发明名称

连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构

[57]摘要

本发明提供一种形成覆盖有聚醯亚胺(polyim-ide,PI)的连续电镀结构的方法，其包括(a)提供一半导体基底；(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层；(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metaltrace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫，并在该接垫上形成一金属层；(e)去除未被覆盖的该黏着/阻障层；以及(f)形成一聚醯亚胺在该半导体基底上，并暴露出该金属层。

200610099491.5权利要求书第1/4页

2

1.一种连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，其步骤包括：

提供一半导体基底、一细联机结构及一保护层，其中该细联机结构位在该半导体基底上，该保护层位在该细联机结构上；

形成一第一金属层在该保护层上；

形成一第一图案化光阻层在该第一金属层上，该第一图案化光阻层的开口暴露出该第一金属层；

形成一第二金属层在该第一图案化光阻层的该开口内；

去除该第一图案化光阻层；

形成一第一聚合物层在该第一金属层及该第二金属层上；

图案化该第一聚合物层使部分该第一金属层及部分该第二金属层顶端暴露出，其中在该第二金属层周缘仍包覆该第一聚合层，且位于该第二金属层上的该第一聚合物层具有至少一开口暴露出该第二金属层；以及

去除未在该第二金属层及该第一聚合物层下的该第一金属层。

2.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该形成该保护层的步骤包括沉积厚度介于1000埃至15000埃之间的氮硅化合物层、磷硅玻璃层、氧硅化合物层及氮氧硅化合物层其中之一或组成。

3.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该形成该第一金属层步骤前更形成厚度介于2微米至50微米之间的一聚醯亚胺化合物层、苯基环丁烯化合物层及环氧树脂层其中之一在该保护层上。

4.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该形成该第一金属层步骤包括溅镀厚度介于400埃至7000埃之一钛钨合金层、钛金属层、氮化钛层、钽金属层、氮化钽层、铬金属层、铬铜合金层其中之一或组成在该保护层上。

5.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该形成该第二金属层的步骤包括电镀形成厚度介于1微米至30微米之间的金金属层、铜金属层、银金属层、镍金属层其中之一。

6.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该去除未在该第二金属层及该第一聚合物层下的该第一金属层的步骤后更包括切割该半导

200610099491.5权利要求书第2/4页

3

体基底形成多数半导体组件，利用一打线制程形成一导线在该第二金属层上，经由该导线使该半导体组件电连接至该一外界电路。

7.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该去除该第一金属的步骤后更可包括形成一第三图案化聚合物层在该半导体基底及该第二金属层上，该第三图案化聚合物层的开口暴露出该第三金属层。

8.一种连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，其步骤包括：

提供一半导体基底、一细联机结构及一保护层，其中，该细联机结构位在该半导体基底上，该保护层位在该细联机结构上；