CN108336133A 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108336133A

(43)申请公布日2018.07.27

(21)申请号201810131088.9

(22)申请日2018.02.09

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号

申请人电子科技大学广东电子信息工程研究院

(72)发明人邓小川徐少东谭辑李轩曹厚华曾莉尧张波

HO1LHO1L

HO1L

29/739(2006.01)21/28(2006.01)21/331(2006.01)

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L29/417(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN108336133A一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiCIGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT,相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体

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二12

CN108336133A权利要求书1/2页

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1.一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，其元胞结构包括自下而上依次层叠设置的金属集电极(12)、第一导电类型碳化硅衬底(1)、第二导电类型碳化硅缓冲层(2)、第二导电类型碳化硅漂移区(3)、栅介质层(7)、多晶硅栅(8)、层间介质层(10)和发射极金属(11);所述第二导电类型碳化硅漂移区(3)为凸型结构，在第二导电类型碳化硅漂移区(3)的表面两侧分别具有凹槽，两个凹槽之间形成一个凸起的平台；所述平台的表面两侧和所述凹槽的底部分别具有一个第一导电类型碳化硅体区(4),每个第一导电类型碳化硅体区(4)中具有相互独立且彼此接触的第一导电类型碳化硅体接触区(5)和第二导电类型碳化硅源区(6),其中：平台表面两侧的第一导电类型碳化硅体区(4)的顶层具有设置在第一导电类型碳化硅体接触区(5)两侧的第二导电类型碳化硅源区(6),凹槽底部的第一导电类型碳化硅体区(4)的顶层具有设置在第一导电类型碳化硅体接触区(5)一侧的第二导电类型碳化硅源区(6);每个第一导电类型碳化硅体区(4)中的第一导电类型碳化硅体接触区(5)及部分第二导电类型碳化硅源区(6)的上表面设置有欧姆合金层(9);凹槽底部表面及其槽壁表面以及平台上表面设置有与第二导电类型碳化硅漂移区(3)、第一导电类型碳化硅体区(4)和第二导电类型碳化硅源区(6)相接触的栅介质层(7),栅介质层(7)的上表面设置有多晶硅栅(8),栅介质层(7)和多晶硅栅(8)构成栅极结构；发射极金属(11)设置在欧姆合金层(9)上方且与之相接触，且发射极金属(11)与栅极结构之间通过层间介质层(10)相隔离。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：第一导电类型碳化硅为P型碳化硅，第二导电类型碳化硅为N型碳化硅。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：第一导电类型碳化硅为N型碳化硅，第二导电类型碳化硅为P型碳化硅。

4.一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1:在第一导电类型碳化硅衬底(1)上依次制作第二导电类型碳化硅缓冲层(2)和第二导电类型碳化硅漂移区(3);

步骤2:在第二导电类型碳化硅漂移区(3)表面两侧刻蚀形成凹槽，两个凹槽之间形成一个凸起的平台；

步骤3:通过离子注入工艺，在第二导电类型碳化硅漂移区(3)的凹槽底部及平台表面两侧形成第一导电类型碳化硅体区(4);

步骤4:通过顺次淀积多晶硅及介质层和刻蚀工艺、在平台表面中间及