CN101826545B 集成电路自对准三度空间存储阵列及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101826545B

(45)授权公告日2013.05.01

(21)申请号201010129539.9

(22)申请日2010.03.03

(30)优先权数据

61/209,1232009.03.03US

12/692,7982010.01.25US

(73)专利权人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

(72)发明人吕函庭

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人汤保平

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

27/24(2006.01)27/115(2006.01)

HO1L21/82(2006.01)

HO1L21/8247(2006.01)

(56)对比文件

CN1691339A,2005.11.02,全文.

US2004124466A1,2004.07.01,全文.审查员柴春英

权利要求书3页说明书12页附图21页

(54)发明名称

集成电路自对准三度空间存储阵列及其制作方法

(57)摘要

BCN101826545一种三度空间存储装置，其包含利用绝缘材料