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- 约 12页
- 2026-03-05 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN106784314A
(43)申请公布日2017.05.31
(21)申请号201710037248.9
(22)申请日2017.01.18
(71)申请人南京邮电大学
地址210023江苏省南京市亚东新城区文
苑路9号
(72)发明人叶尚辉郭丽峰魏昂周舟黄维
(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200
代理人楼高潮
(51)Int.CI.
HO1L51/10(2006.01)
HO1L51/40(2006.01)
HO1L51/05(2006.01)
权利要求书1页说明书3页附图2页
(54)发明名称
以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法
(57)摘要
CN106784314A以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法,属于有机场效应晶体管的制备方法领域。所述方法包括将相片纸分别用去离子水和氮气清理表面;将清理后的相片纸置于培养皿中放入真空干燥箱加热;在相片纸上打印银电极,将相片纸置于培养皿中放入真空干燥箱加热;在相片纸上打印OTFT活性层材料BFTII和氯仿的混合溶液,热退火;在相片纸上打印介电层,将相片纸置于培养皿中放在真空干燥箱中加热;涂紫外固化胶进行紫外固化,盖上玻璃片后封装完毕。制造成本低,工艺简单,通过添加BFTII和热退火方法,即可使得最终制备的OTFT在保持较低阈值电压的条件下,载流子迁移率提升两个以上数量
CN106784314A
CN106784314A权利要求书1/1页
2
1.以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将相片纸分别用去离子水和氮气清理表面;
步骤二:将经过步骤一处理的相片纸置于培养皿中放入真空干燥箱加热;
步骤三:在经过步骤二处理的相片纸上打印银电极,将相片纸置于培养皿中放入真空干燥箱加热;
步骤四:在经过步骤三处理的相片纸上打印BFTII和氯仿的混合溶液,热退火,BFTII的
分子结构如下:
步骤五:在经过步骤四处理的相片纸上打印介电层,将相片纸置于培养皿中放在真空干燥箱中加热;
步骤六:涂紫外固化胶进行紫外固化,盖上玻璃片后封装完毕。
2.根据权利要求1所述的以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述相片纸切割尺寸为1.6cm×1.4cm。
3.根据权利要求1所述的以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,步骤三中所述银电极为边栅结构,所述边栅结构包括栅极、漏极、源极和沟道,所述沟道长度为80μm,宽度为8000μm。
4.根据权利要求1所述的以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,步骤四中所述BFTII用氯仿做溶剂配成混合溶液的浓度为4mg/mL。
5.根据权利要求1所述的以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,步骤四中所述热退火温度为100℃,真空退火10分钟。
CN106784314A说明书1/3页
3
以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及到有机场效应晶体管的制备方法领域,尤其涉及到以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法。
背景技术
[0002]半导体电子器件问世以后,基于有机半导体的电子器件由于其特有的性能也得到快速的发展,比如有机光电存储器、有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机太阳能电池等纳米器件。其中,有机场效应薄膜晶体管,简称organicthin-filmtransistor(OTFT),由于其特有的性能而引起人们的关注,并得到深入地研究。
[0003]基底是印刷电子产品的重要部分,它可以是刚性或柔性的,但其应具有不可渗透,低热膨胀系数,化学惰性,机械坚固,应能承受加工温度等特性。基于硅基的半导体微电子技术已经在电子技术领域主导了半个世纪,硅材料广泛应用于基底,是由于其优异的半导体性能,容易形成氧化层。例如,Bharti等人制作以硅片为基底的OTFT,实现相分离诱导的高载流子迁移率和电稳定性(Bharti,Deepak,T
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