CN106548932A ZnO薄膜激光烧蚀制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106548932A

(43)申请公布日2017.03.29

(21)申请号201611053039.5

(22)申请日2016.11.25

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

(72)发明人刘全生孙海鹰米晓云王能利柏朝晖张希艳卢利平王晓春

(74)专利代理机构长春菁华专利商标代理事务

所22210代理人陶尊新

(51)Int.CI.

H01L21/304(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图3页

(54)发明名称

ZnO薄膜激光烧蚀制作方法

(57)摘要

CN106548932AZnO薄膜激光烧蚀制作方法属于光学功能材料技术领域。现有用来制作Zn0薄膜的方法实施起来十分不易。本发明之Zn0薄膜激光烧蚀制作方法属于一种Sol-Gel法，其特征在于，将乙酸锌溶于有机溶剂，加入与锌离子等物质量的乙醇胺，搅拌后得溶胶液；将所述溶胶液旋涂于基片上，低温热处理得凝胶膜；采用激光烧蚀所述凝胶膜，激光功率为5～30W,烧蚀时间为1~1000sec,激光光源出光口与凝胶膜之间的距离为1～50cm,得Zn0薄膜。相比于现有脉冲激光沉积法，本发明之方法既不需要真空环境，也不需要特殊的保护气氛，工艺条件比较宽松；不需要

CN106548932A

CN106548932A权利要求书1/1页

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1.一种ZnO薄膜激光烧蚀制作方法，属于一种Sol-Gel法，其特征在于，将乙酸锌溶于有机溶剂，加入与锌离子等物质量的乙醇胺，搅拌后得溶胶液；将所述溶胶液旋涂于基片上，低温热处理得凝胶膜；采用激光烧蚀所述凝胶膜，激光功率为5～30W,烧蚀时间为1~1000sec,激光光源出光口与凝胶膜之间的距离为1～50cm,得Zn0薄膜。

2.根据权利要求1所述的Zn0薄膜激光烧蚀制作方法，其特征在于，选用硅片、石英玻璃片或者陶瓷片作为基片；用去油清洗剂在超声波清洗器中清洗所述基片10min;之后用盐酸在超声波清洗器中清洗基片10min;再用无水乙醇在超声波清洗器中清洗基片10min;最后用去离子水在超声波清洗器中反复清洗基片；在干燥箱中干燥基片。

3.根据权利要求1所述的ZnO薄膜激光烧蚀制作方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇、乙二醇甲醚或者聚乙烯醇；所述搅拌是指在50～70℃温度下搅拌1～2h。

4.根据权利要求1所述的ZnO薄膜激光烧蚀制作方法，其特征在于，将所述基片吸附于旋涂机的旋涂台上，基片的集合中心位于旋涂台的轴线上；用胶头滴管将所述溶胶液滴加到基片上；基片随旋涂台在500rpm的转速下旋转10sec,再在3000rpm的转速下旋转30sec,在基片上形成一层湿凝胶膜，得湿膜基片；在50℃温度下加热所述湿膜基片5～10min,再在恒温干燥箱中先后在180℃和150℃温度下干燥5～10min,得凝胶膜。

5.根据权利要求4所述的Zn0薄膜激光烧蚀制作方法，其特征在于，该步骤为一次或者若干次。

6.根据权利要求1所述的Zn0薄膜激光烧蚀制作方法，其特征在于，当凝胶膜尺度在直径1cm以下时，将激光光束扩束到光斑具有同样尺度的程度，照射烧蚀凝胶膜；当凝胶膜尺度在直径1cm以上时，将激光光束聚焦在凝胶膜表面，扫描烧蚀凝胶膜；在激光烧蚀过程中，基片温度为室温，在空气气氛中、常压气压下进行。

CN106548932A说明书1/3页

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Zn0薄膜激光烧蚀制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种ZnO薄膜激光烧蚀制作方法，属于光学功能材料技术领域。

背景技术

[0002]Zn0是一种具有优良光电特性的Ⅱ-VI族直接宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV,束缚激子能高达60meV,在400～800nm波段具有高达90%以上的透射率，而对紫外光有强烈吸收，非常适用于短波长发光器件。室温Zn0薄膜光致发光谱(PL谱)包括380nm的本征紫外峰和520nm的黄绿光波段展宽峰，它们与导带和价带间跃迁复合发光、激子复合发