CN106206685A 具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件 （国立研究开发法人科学技术振兴机构）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106206685A

(43)申请公布日2016.12.07

(21)申请号201610573266.4

(22)申请日2012.02.28

(62)分案原申请数据

201280012185.72012.02.28

(71)申请人国立研究开发法人科学技术振兴机构

地址日本琦玉县川口市本町4-1-8

(72)发明人真岛丰寺西利治村木太郎田中大介

(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人梁海莲余明伟

(51)Int.CI.

HO1L29/41(2006.01)

HO1L29/76(2006.01)

HO1L21/288(2006.01)

B82Y10/00(2011.01)

B82Y40/00(2011.01)

C23C18/16(2006.01)

C23C18/44(2006.01)

HO1L21/768(2006.01)

权利要求书1页说明书14页附图18页

(54)发明名称

具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件

(57)摘要

CN106206685A将使金属层(2A、2B)具有间隙且成对地配置的基板(1)浸渍于无电解镀液中，所述无电解镀液是在含有金属离子的电解液中混合还原剂和界面活性剂而制成。利用还原剂将金属离子还原，金属析出于金属层(2A、2B)且界面活性剂附着在金属的表面，形成将间隙的长度控制为纳米尺寸的电极(4A、4B)的对。由此，提供一种使用能够控制间隙长度的偏差且具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，并且利用该制作方法提供

CN106206685A

CN106206685A权利要求书1/1页

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1.一种纳米器件，其特征在于，包括：

以具有纳米间隙地设置的一方电极与另一方电极；在所述一方电极与所述另一方电极之间配置的金属纳米粒子；以及在所述一方电极与所述另一方电极的至少一方设置的单分子膜。

2.根据权利要求1所述的纳米器件，其特征在于：所述单分子膜为自组装单分子膜。

3.根据权利要求1所述的纳米器件，其特征在于：所述金属纳米粒子化学吸于在所述单分子膜。

4.根据权利要求1所述的纳米器件，其特征在于：通过作为所述金属纳米粒子的保护基的烷基硫醇与构成所述单分子膜的单分子的缺损部的化学结合，所述金属纳米粒子与所述一方电极以及所述另一方电极绝缘。

5.根据权利要求1所述的纳米器件，其特征在于：所述一方电极与所述另一方电极在同一面上，1个或多个侧边栅极电极被设置在该面上。

6.根据权利要求1所述的纳米器件，其特征在于：还包括钝化膜。

7.一种纳米器件，其特征在于，包括：

以具有纳米间隙地设置的一方电极与另一方电极；

在所述一方电极与所述另一方电极之间配置的金属纳米粒子；以及

介于所述金属纳米粒子与所述一方电极之间、所述金属纳米粒子与所述另一方电极之间的单分子膜，

所述金属纳米粒子通过硫醇被吸附于所述一方的电极与所述另一方的电极的至少一方。

8.根据权利要求7所述的纳米器件，其特征在于：所述单分子膜包含烷基硫醇。

9.根据权利要求7所述的纳米器件，其特征在于：所述单分子膜为自组装单分子膜。

10.根据权利要求7所述的纳米器件，其特征在于：通过作为所述金属纳米粒子的保护基的烷基硫醇与构成所述单分子膜的单分子的缺损部的化学结合，所述金属纳米粒子与所述一方电极、所述另一方电极的至少一方绝缘。

11.根据权利要求7所述的纳米器件，其特征在于：所述一方电极与所述另一方电极在同一面上，1个或多个侧边栅极电极被设置在该面上。

12.根据权利要求7所述的纳米器件，其特征在于：还包括钝化膜。

CN106206685A说明书1/14页

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具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件

[0001]本申请为以下专利申请的分案申请

[0002]申请号：201280012185.7

[0003]国际申请日：2012年2月28日

[0004]进入中国国家阶段日期：2013年9月6日

[0005]