CN107393997B 一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107393997B公告日2019.06.07

(21)申请号201710498986.3

(22)申请日2017.06.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107393997A

(43)申请公布日2017.11.24

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华陈慧弘

(51)Int.CI.

HO1L31/101(2006.01)

H01L31/0352(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)审查员卢青

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法

(57)摘要

CN107393997B本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制造方法，所述探测器包括衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、介质层、下电极和下电极欧姆接触层，所述衬底表面含有竖直的凸起物，所述下电极位于下电极欧姆接触层的上方，且下电极周边为介质层，所述量子阱单元采用外延生长法沉积在所述衬底表面下电极和介质层之外的区域，位于衬底表面凸起物上的量子阱单元为多面体，所述上电极通过上电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接，其中，欧姆接触层通过离子注入工艺形成。本发明提供的一种提高光吸收率的量子阱红外探测

CN107393997B

CN107393997B权利要求书1/1页

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1.一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，包括硅衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、介质层、下电极和下电极欧姆接触层，所述硅衬底表面含有竖直的凸起物，含有竖直凸起物的硅衬底表面通过离子注入形成下电极欧姆接触层，所述下电极位于下电极欧姆接触层的上方，且下电极周边为介质层，所述量子阱单元采用外延生长法沉积在所述硅衬底表面下电极和介质层之外的区域，位于硅衬底表面的凸起物和硅衬底平面上对应的晶面不同，在所述硅衬底表面凸起物上外延生长多面体的量子阱单元，且所述量子阱单元的水平截面面积大于所述凸起物的水平截面面积，所述上电极欧姆接触层位于所述量子阱单元的最上层中，且所述上电极欧姆接触层上方为上电极，所述下电极通过下电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接。

2.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述硅衬底表面凸起物在硅衬底表面呈网状分布，且每个凸起物之间有间隙。

3.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述硅衬底表面凸起物在硅衬底表面呈条形分布，且每条凸起物之间有间隙。

4.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述硅衬底表面凸起物为多个条形凸起连接成的一个整体。

5.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层。

6.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为InGaAs层和AlxGa?-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层。

7.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为Si层和SixGe1-x层交替形成，其中，SixGe?-x层的厚度小于Si层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。

8.根据权利要求1所述的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极和下电极为Pt金属。

9.一种制作权利要求1所述的提高光吸收率的量子阱红外探测器的方法，步骤如下：

S01:在硅衬底上表面图形化形成竖直的凸起物，硅衬底表面的凸起物和硅衬底平面上对应的晶面不同；

SO2:对上述硅衬底表面进行离子注入，形成下电极欧姆接触层，在掺杂表面区域生长介质层并图形化，在上述图形化区域填充下电极；

SO3:去除多余的介质层，仅保留位于