CN104851976A 相变化记忆体与其的制作方法 （宁波时代全芯科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104851976A

(43)申请公布日2015.08.19

(21)申请号201510240803.9

(22)申请日2015.05.13

(71)申请人宁波时代全芯科技有限公司

地址315195浙江省宁波市鄞州工业园区

(鄞州区姜山镇新张俞村)

申请人英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

(72)发明人陶义方

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006

代理人徐金国

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

45/00(2006.01)

27/24(2006.01)21/784(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图27页

(54)发明名称

相变化记忆体与其的制作方法

(57)摘要

CN104851976A本发明揭露一种相变化记忆体与其的制作方法。相变化记忆体包含主动元件、下电极、上电极、相变化层、下加热器与上加热器。下电极电性连接主动元件。相变化层置于下电极与上电极之间。下加热器置于下电极与相变化层之间。下加热器沿第一方向延伸。上加热器置于上电极与相变化层之间。上加热器沿第二方向延伸。第一方向与

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