CN102983174B 具有槽型结构的应变pmosfet及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102983174B公告日2016.11.30

(21)申请号201210552142.X

(22)申请日2012.12.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN102983174A

(43)申请公布日2013.03.20

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人罗谦刘斌曾庆平严慧甘程于奇

(74)专利代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124

代理人刘世平

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

(56)对比文件

US2007/0158739A1,2007.07.12,CN101197392A,2008.06.11,

CN101030541A,2007.09.05,CN101047129A,2007.10.03,CN100544001C,2009.09.23,

审查员郭学军

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法

(57)摘要

CN102983174B本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET,包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外延的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层。本发明的有益效果是，制

CN102983174B

CN102983174B权利要求书1/1页

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1.具有槽型结构的应变PMOSFET,包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外侧的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层，利用张应变刻蚀阻挡层和槽型结构能够使张应变刻蚀阻挡层在沟道区域引入压应力。

2.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变PMOSFET,其特征在于，所述槽型结构的上表面到下表面的垂直距离至少为0.4μm。

3.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变PMOSFET,其特征在于，所述槽型结构为矩形。

4.根据权利要求1所述具有槽型结构的应变PMOSFET,其特征在于，所述槽型结构为梯形或阶梯形，所述梯形或阶梯形的长边位于槽型结构的上表面。

5.根据权利要求1或2或3或4所述具有槽型结构的应变PMOSFET,其特征在于，所述张应变刻蚀阻挡层的厚度为10nm到600nm之间。

6.具有槽型结构的应变PMOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、对半导体衬底进行N型掺杂；

步骤2、在半导体衬底上淀积一层氧化层；

步骤3、在氧化层上方淀积氮化物；

步骤4、在氮化物上方涂一层光刻胶，通过曝光显影去掉槽型结构上方的光刻胶，所述光刻胶的刻印图形涂于氮化物上方除预留的槽型结构外的地方；

步骤5、刻蚀掉没有光刻胶保护区域的氮化物和氧化层，然后抛光去除光刻胶刻蚀半导体衬底从而形成槽型结构，最后抛光去除氮化物和氧化层；

步骤6、在半导体衬底上生长栅氧化层，在其上淀积栅材料，刻蚀形成栅电极，再形成侧墙；

步骤7、利用栅自对准工艺对有源区进行两次P型离子注入，分别形成两个轻掺杂漏区、源区及漏区；

步骤8、在整个器件及槽型结构上淀积一层本征张应变刻蚀阻挡层，利用张应变刻蚀阻挡层和槽型结构能够使张应变刻蚀阻挡层在沟道区域引入压应力。

7.根据权利要求6所述具有槽型结构的应变PMOSFET的制作方法，其特征在于，步骤5中，所述刻蚀的深度为从半导体衬底上表面起向半导体衬底下方延伸至少0.4μm。

8.根据权利要求6所述具有槽型结构的应变PMOSFET的制作方法，其特征在于，步骤2中，所述氧化层的厚度为15nm。

9.根据权利要求6或7或8所述具有槽型