- 0
- 0
- 约4.63万字
- 约 105页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119486903A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380052202.8
(22)申请日2023.05.08
(30)优先权数据
63/339,0662022.05.06US63/392,8522022.07.27US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.06
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/US2023/0667432023.05.08
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/215916EN2023.11.09
(71)申请人靛蓝技术股份有限公司地址美国马萨诸塞州
(72)发明人威尔·格雷林凯斯·沃尔克乔纳森·李埃里克·奥伯斯
休·罗宾逊卡斯滕·考施
(74)专利代理机构北京市立方律师事务所
11330
专利代理师谢玉斌
(51)Int.Cl.
B60L50/50(2006.01)
B62D59/04(2006.01)
G06Q10/083(2006.01)
B62D31/00(2006.01)
权利要求书4页说明书21页附图55页
(54)发明名称
用于共乘和包裹递送服务的车辆及用于使
用其的方法
(57)摘要
CN119486903A一种电动车
您可能关注的文档
- CN119486105A 半导体结构及其制造方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)