- 0
- 0
- 约12.24万字
- 约 163页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119487028A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380050882.X
(22)申请日2023.07.07
(66)本国优先权数据
PCT/CN2022/1042772022.07.07CN
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.12.30
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/CN2023/1062992023.07.07
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2024/008179EN2024.01.11
(71)申请人百济神州有限公司
地址英属开曼群岛大开曼岛卡玛纳海湾索纳瑞斯大道94号
(72)发明人王策喻超袁浩李晓宇王志伟孙汉资
(74)专利代理机构北京坤瑞律师事务所11494专利代理师陈桉
(51)Int.Cl.
C07D471/04(2006.01)
C07D401/14(2006.01)
C07D519/00(2006.01)
A61K31/4375(2006.01)
A61P35/00(2006.01)
权利要求书5页说明书82页
(54)发明名称
杂环化合物、其组合物及用其进行治疗的方
法
(57)摘要
本文提供了具有以下结构的化合物:
CN119487028A
您可能关注的文档
- CN119486105A 半导体结构及其制造方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
最近下载
- 学堂在线中国古代礼义文明——礼学经典章节测试答案.docx VIP
- 创意绘画基础教学.ppt VIP
- 13D101-1~4 110KV及以下电力电缆终端和接头.pdf VIP
- 三年级下册语文试题-期中测评卷苏教版(含答案).pdf VIP
- 2023年盐城市初中毕业升学考试物理试题卷.pdf VIP
- 呼和浩特市2015年玉泉区老旧小区改造项目施工组织设计.docx
- 新疆维吾尔自治区国家电网招聘考试(公共与行业知识)试题及答案(2026年).docx VIP
- 863计划新材料技术领域2008年度专题课题申请指南-科技部.doc VIP
- 安徽省主要城市环境地质调查评价报告.pdf VIP
- 西南交通大学货物货场铁路货场平面设计.docx VIP
原创力文档

文档评论(0)