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半导体电镀工艺技师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.半导体铜电镀常用的基础体系是______酸铜体系。

2.铜电镀中增强局部电流密度的添加剂称为______剂。

3.晶圆电镀前去除表面有机物的步骤是______清洗。

4.电镀速率公式为______（法拉第定律相关）。

5.盲孔填充无空洞的关键是______添加剂。

6.镍电镀常用可溶性阳极是______镍。

7.电镀后清洗优先用______水。

8.铜籽层常用沉积方法是______（PVD）和CVD。

9.电镀均匀性用______偏差率衡量。

10.铅锡合金退镀常用______酸。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.铜电镀抑制剂的作用是（）

A.提高电流密度B.抑制边缘过镀C.增加硬度D.减少气泡

2.铜电镀阳极材料选（）

A.纯铜B.黄铜C.不锈钢D.钛

3.晶圆前处理去金属杂质用（）

A.碱洗B.酸洗C.去离子水D.等离子体

4.电流密度过高会导致（）

A.镀层粗糙B.镀层过薄C.阳极溶解慢D.无影响

5.镍磷合金磷含量升高，镀层（）

A.硬度降B.耐蚀性增C.导电性提D.孔隙率增

6.电镀后烘干温度一般（）

A.50-80℃B.100-120℃C.150-200℃D.200℃以上

7.铜籽层厚度通常（）

A.10-50nmB.100-500nmC.1-5μmD.5-10μm

8.盲孔填充需