CN119631163A 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 （株式会社国际电气）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631163A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202280097913.2

(22)申请日2022.09.23

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2022/0355482022.09.23

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/062634JA2024.03.28

(71)申请人株式会社国际电气地址日本

(72)发明人森谷敦窟田英树高桥正纮

(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限

公司11243

专利代理师范胜杰姚海

(51)Int.Cl.

H01L21/205(2006.01)

权利要求书4页说明书17页附图8页

(54)发明名称

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基

板处理装置及程序

(57)摘要

CN119631163A本公开提供一种能够在成膜中提升阶差覆盖性的技术。根据一实施方式，提供一种技术，其具有：(a1)对基板供给第1改性气体，并将上述基板的至少一部分改性的工序；(a2)对上述基板供给含有第1元素的第1处理气体，使第1元素优先地吸附于未被上述第1改性气体改性的区域的工序；(b1)对上述基板供给分解温度与上述第1改性气体