CN119742660A 一种单片集成光发射芯片及其制作方法 （武汉国科光领半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742660A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411939831.5

(22)申请日2024.12.26

(71)申请人武汉国科光领半导体科技有限公司

地址430200湖北省武汉市东湖新技术开

发区流芳园横路1号楚天传媒生产基

地二期1号楼1-2层

(72)发明人赵自闯蒋晨龙

(74)专利代理机构北京律谱知识产权代理有限

公司11457

专利代理师黄云铎

(51)Int.Cl.

H01S5/40(2006.01)

H01S5/10(2021.01)

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种单片集成光发射芯片及其制作方法

(57)摘要

CN119742660A本申请公开了一种单片集成光发射芯片及其制作方法，涉及半导体器件的技术领域，该芯片包括衬底、无源波导层、第一激光器层、第二激光器层、调制器层、包层和接触层，无源波导层通过按照预定的图案刻蚀形成，包括两个输入分支和一个输出分支，第一激光器层设置在其中一个输入分支上，第二激光器层及调制器层设置在另一个光信号输入分支上，其中，两个输入分支的路径耦合到输出分支的路径中，两个激光器层上设置光栅，包层及接触层设置在这些功能层上方；本申请在芯片中集成了两种不同的激光器层，