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半导体晶圆沉积工艺技师考试试卷及答案

半导体晶圆沉积工艺技师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.化学气相沉积的英文缩写是___。

2.PVD的中文全称是___。

3.沉积工艺中常用的载气之一是___（填写一种即可）。

4.薄膜厚度的常用单位是___。

5.等离子体增强化学气相沉积的缩写是___。

6.控制沉积薄膜成分的关键参数是___。

7.溅射沉积属于___（填CVD或PVD）工艺。

8.晶圆清洗常用的溶剂之一是___。

9.测量沉积薄膜厚度的常用设备是___。

10.低压化学气相沉积的缩写是___。

单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种方法属于CVD工艺？（）

A.