硅基AlGaN平台MOSFET-UV_LED集成器件的研究.pdf

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摘要

光电技术的革新引领了智能照明与光通信领域的新时代,为这个领域的发展提供

了重要支撑。而这些领域的进一步发展不仅依赖于单一电子和光子技术的突破,更需

要通过集成化方式来提升器件解决复杂问题的能力。集成光电子器件凭借其独特的功

能融合、微型化结构和抗干扰强等优势,为光通信系统提供了坚实可靠的硬件基础。

由于GaN基外延材料具有优异的光电协同特性、高电子迁移率和宽禁带等优势,也成

为了实现光电集成和多功能芯片的首选平台。传统的光电集成技术中额外的外延生长

或离子注入会导致工艺复杂和高成本等问题

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