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一种红光材料的制备、光学性能及其在 LED
中的应用#
封科军1,李心恬2,方红2,邵光3**
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(1. 惠州学院化学工程系,广东 惠州 516007;
2. 深圳市出入境检验检疫局工业品检测技术中心,广东 深圳 518017;
3. 中山大学化学与化学工程学院,广州 510275)
摘要:用一个含二苯乙炔的 β-二酮类配体和 1,10-邻啡罗啉作为第二配体来制备一个新的
三元 Eu(III)配合物。这个配合物具有较高的热稳定性,同时测定了一些光学性能包括红外、
紫外、激发和发射光谱、荧光寿命曲线和量子产率。将配合物与 395 nm 发射的 InGaN 芯片
相组合来获得一个发红光的二极管。二极管的发光光谱表明 InGaN 芯片发出的 395 nm 的光
可以完全被配合物所吸收。该器件的色坐标为 x = 0.6629, y = 0.3309,光效为 2.35 lm/W。这
个铕(III)配合物可被当作一个潜在的红色发光组分来应用于制备白光 LED。
关键词:有机化学;铕配合物;红光材料;光学性能;发光二极管
中图分类号:O69
Synthesis and Photophysical Properties of a Red-Emitting
Material Applied in LED
FENG Kejun1, LI Xintian2, FANG Hong2, SHAO Guang3
(1. Department of Chemical Engineering, Huizhou University, GuangZhou HuiZhou 516007;
2. Testing and Technology Center for Industrial Products,Shenzhen Entry-Exit Inspection and
Quarantine Bureau, GuangDong ShenZhen 518017;
3. School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-Sen University, GuangZhou 510275)
Abstract: A new europium(III) ternary complex based on a diphenylethyne β–diketonate ligand
and 1,10-phenanthroline as an ancillary ligand have been prepared. The complex exhibits a high
decomposition temperature. Photophysical properties such as FT-IR spectra, UV-Vis absorption
spectra, excitation and emission spectra, luminescence decay curve and quantum yield were
investigated. An intense red-emitting LED was fabricated by coating the complex onto a 395
nm-emitting InGaN chip. The light emission from the InGaN chip could be completely absorbed
in the spectrum of LED. An efficiency of 2.35 lm/W was achieved by coating the complex onto a
395 nm-emitting InGaN chip. Its Commission International de I’Eclairage (CIE) chromaticity
coordinate is x = 0.6629, y = 0.3309. All the results conclude that the europium(III) complex is a
promising candidate as a red component for near UV-based white LEDs.
Keywords: Organic Chemistry; Europium(III) Complex; Red-Emitting Material; Photophysical
Properties; Light-Emitting Diode
0 引言
白光 LED 作为一种新型的绿色环保型固体照
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