钡基铋层状铁电陶瓷钛酸铋钡和铌酸铋钡的掺杂改性与老化研究.pdfVIP

论文题目：钡基铋层状铁电陶瓷钛酸铋钡和铌酸铋钡的掺杂改性与老化研究 学科专业：无机化学 学位申请人：余柏威 指导教师：孙大志教授 中文摘要 铋层状化合物是一类通常具有较高居里温度的铁电体材料，在集成铁电技术 中占有重要地位。本论文首先系统地考察了镧元素和钪元素置换铋元素对铋层状 化合物的微观结构及介电、铁电和老化性能等方面的影响，并讨论了层状结构稳 定性与A位平均离子半径的关系。最后进一步通过其他稀土元素(Y，Nd)取 代铋来讨论与分析A位取代对Ba基铋层状化合物的介电、铁电和老化性能等方 面的影响。 掺杂了La3+的BBT陶瓷粉体除了一些峰的强度有所变化外，并未出现杂相，有 利于减少纯BBT预烧过程中出现的焦绿石相并有利于提高陶瓷烧结致密度。相 应地，介电性能和P—E关系显示，掺杂了La3+提高了陶瓷室温相对介电常数， 降低了陶瓷的介电损耗。BaBi4Ti4015的铁电性并因为La3+的掺杂而消失。对于 老化性能，在老化时间为90d的条件下，La3+的掺杂有效地抑制了 B“Bil—xLaX)4Ti4015陶瓷的室温相对介电常数(￡r)的减少趋势。 样品的的焦绿石相的含量已经显著降低，当掺杂量为1at％时，几乎呈纯的钙钛 矿结构。相较于La3+，Sc3+离子掺杂的陶瓷更加致密。但是，Sc3+离子的置换对 于陶瓷样品的介电和铁电性能方面的贡献并不突出。对于老化性能，陶瓷样品变 “硬”的趋势增强，陶瓷的老化减缓。 作者认为，导致上述现象的从微观结构上分析，可能有两方面的原因：其一， La3+／Sc3+的取代，弥补了Bi3+的挥发所产生的缺位，有利于提高陶瓷的致密度， 降低陶瓷的介电损耗；同时，La-O和Sc—O的键能均大于Bi．O，有利于提高陶 瓷结构的稳定性，进而从而使得陶瓷样品有变“硬”的趋势，减缓了陶瓷的老化。 为了进一步理清A位掺杂对铋层状化合物的微观结构及介电、铁电和老化 瓷。掺杂Sc3+离子的BBN陶瓷粉体致密度较好，粒径分布比较均匀，晶粒形貌 明显呈板状，这是由于铋层状化合物具有层状结构。有利于提高陶瓷的室温相对 介电常数，降低了陶瓷的介电损耗。掺杂La”和Ys+离子也有利于陶瓷四方相 的形成，使得陶瓷具有较好的层状结构。但是由于Nd3+的半径较大，置换发生 后，不能有效的抑制由Bi203在高温烧结中挥发所产生的空位。由于空位的存在， 使得陶瓷在烧结中存在一定的气孔，降低了陶瓷烧结的致密度。对于介电方面， 由于铌酸盐的存在，让BBN陶瓷既具有层状结构，又具有铌酸盐的钨青铜结构， 所以随掺杂粒子的引入，陶瓷样品的室温相对介电常数变化趋势变得更加复杂， 具体的机理还需进行研究和探索。 关键词：铋层状结构，铁电体，介电性能，铁电性能，老化，A一位掺杂 论文类型：应用研究 mod难c瓶伽粕d ofb耐umKs咖th subject：neDopiIIg aging pmpellies Ksmu也6纽嘲她badum蛐dKs咖也niobatebarium l姆凹胡∞删cs Pm融si叫址越瞄pline：hlo玛aIlicChellliSt可 G Yu r：蚰u疵ap曲cant：Baiwei Thtor： DazhiSun 111tKs laIlmanuma11dscandiumsubStitutionwaScarriedoutinsome thesis，the bismunl andthev撕撕onof 够picaJ layer-stmctured microstmctureand compoullds and were dielectric，f．eIToelect^c a酉ngpropeniesfirstlysystematicallyinvestigated Andthen therelationbetwee