反谐振反射光波导型VCSEL侧向辐射损耗的分析.pdfVIP

《半导体光电》年 月第 卷第 期 魏晓航 等: 反谐振反射光波导型 侧向辐射损耗的分析 反谐振反射光波导型 侧向辐射损耗的分析 魏晓航,邓 军,徐 晨,苗 霈,毛明明,李建军,韩 军 北京工业大学 光电子实验室,北京 摘 要: 使用柱坐标的传输矩阵法计算并分析了在反谐振反射光波导 型垂直腔 面发射激光器 中,不同的第一包裹层厚度对应的基模和一阶横模的侧向辐射损耗。与传 统丰板近似的方法相比,该方法更为精确地计算出了损耗的值,同时更为详细地表明了损耗随第一 包裹层厚度变化的规律。并且指出第一包裹层的最佳厚度并不一定是传统认为的使基模得到反谐 振效果即侧向辐射损耗最小时的值,而需要综合考虑基模和一阶模的侧向损耗。这对 型的设计具有重要的指导意义。 关键词: 激光器;侧向辐射损耗;传输矩阵法;反谐振反射光波导;垂直腔面发射激光器 中图分类号: 文献标识码: 文章编号:? ? ? , , ,, ,,, , ,: ? ??, . , 。. 。 .. :;;; ;?? 限制时激光器将不可避免地激射出一阶横模的光, 引言 严重影响了光束的质量 。为了解决这一问题,人 垂直腔面发射激光器 作为一种新型 们设计出了一种光孔周围折射率比内部高的反波导 的半导体激光器,由于阈值电流小、易实现动态单模 ?结构。与光在传统波导结构中无侧 工作、易于二维集成等优点正在受到越来越多的关 向辐射损耗不同,在这种结构中,基模和一阶横模都 注 。传统的 利用光孑 周围折射率比内 有来自侧向的辐射损耗,但一阶横模的损耗大于基 部低的波导结构以产生单基横模的光,但这种结构 模 约为基模的 倍 ,导致其阈值电流也将大于 对光孔的直径有一定的限制,当光孔直径大于这一 基模,在二者的阈值电流之间激光器可以显示出良 好的单模特性而无需受到传统 孔径大小的 收稿日期: ? ? . 基金项目:国家自然科学基金资助项目 . 限制。因此对反波导结构中基模和一阶横模侧向辐 . . 射损耗的研究是反波导理论的核心问题之一。 汉克尔 函数。 单纯的反波导激光器有一个很大的缺点就是基 模的侧向辐射损耗太大,导致激光器的阈值电流过 大,功率过低。为了改善这一现象,可以在光孔的周 围添加两圈侧向的包裹层 类似于一对侧向的 对泄露出光孔的光进行反射,这样就形成了反 谐振反射光波导结构 ,该结构可有效 减少光的侧向损耗。使用这一结构已经成功制做出 了单模连续输出功率为 . 的。 一 般认为,这两圈包裹层的厚度均应设计为基 模在相应包裹层中四分之一横向波长的奇数倍以达 图的结构及其折射率分布示意图 到反谐振的效果,从而最大程度地减少基模的辐射 损耗 。然而实际上,当按此原则选取二个包裹层 对式关于 求导有: 的厚度使得基模的损耗达到最小值时,一阶模的损?‘ ; 耗可能并未达到足以有效区分二者的阈值电流的 由此可以建立一个关于 , 和 , 在第 值,这将在很大程度上限制激光器的输出功率。因 层中的传输矩阵: 此,反射层厚度的选取应当遵循两个原则:尽可 厂厂 ”:厂 能减小基模损耗,以减小基模阈值电流;在第 .,: ’汁 儿 . , 条的基础上相应地增大一阶横模的损耗,以增大基 模和一阶横模的区分性,提高激光器的最大输出功 同理,在第层中有: 率。只有同时满足这两条,激光器才能表现出良好 厂 ” ∞ 斗 的大功率单模特性。汁 , , 斗 计。 传输矩阵分析方法 『磷 由一个核心区和外面的两个环状的包裹层构成 在第 层和第层的边界 ? 上由光场及其 的 的结构及其折射率分布示意图如图 一 阶导连续可知: 所示。在每层侧向 方向上的光场 在极坐标下 均满足亥姆霍兹 方程,它与半径 的关 乏一。 系可以写为 以上 式联立就可以得到各层中振幅的传输矩阵: 其中, 和 为任意的常数,而 和 分别为 『. .:『. : 件 × 斗。 雕 斗阶的第一类和第二类贝塞尔 函数, 一 / : 一 为光场 在第 层中的侧向传播常 斟三。数, 为每层的折射率,而 “为整个结构的有效折 其中, 为第 层与第层的传输矩阵, : , 射率, 在无侧向损耗的波导结构中为实数而在有 侧向损耗的反波导结构中则为复数, 。: ?/ 为传 或者 ,分析可知总的传输矩阵 ,有 播常数, 为光在自由空间中的波长。 进一步地,每层的侧向光场 还可以表示为另 一 种形式: 其中, 为矩阵 中各行列的元素,由于在最外面的? ” 第 层不存在向里传播的光场,所以应有: 其中, 和 分别为第 层向外和向里传播光场?的振幅, 和 ’分别为 阶的第一类和第二类 将第 层中的代入公式可知欲使公《半导体光电年 月第 卷第 期 魏晓航 等:反谐振反射光波导型 侧向