AlNSi衬底上ZnO薄膜的择优取向生长.pdfVIP

1126 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 AlN/Si 衬底上ZnO 薄膜的择优取向生长* ∗ 王 磊，冷 杉，王 波，黄安平，李小换，朱满康，严 辉 (北京工业大学 材料学院薄膜材料与技术研究室，北京 100022 ) 摘 要：当ZnO 薄膜直接沉积在 Si 衬底上时，由于 AlN 缓冲层对ZnO 薄膜取向的影响。 ZnO 与Si 的晶格失配度大，不易于获得高质量的ZnO 薄膜。因此，选择合适的衬底材料沉积 ZnO 薄膜， 2 实 验 对提高其质量非常重要。本文采用射频磁控溅射法， 本文采用射频磁控溅射法，通过在 Si(100)衬底 通过在Si （100 ）衬底上预沉积AlN 作为ZnO 薄膜生 上预沉积一层AlN 作为薄膜生长的过渡层，获得了择 长的缓冲层，获得了择优取向的 ZnO 薄膜。我们还 优取向的 ZnO 薄膜。实验过程中，衬底的温度控制 讨论了ZnO 薄膜在AlN/Si 衬底上的取向生长机理。 -3 在300℃，背底真空5 ×10 Pa ，工作气压0.15~1.0Pa 。 关键词：ZnO 薄膜；磁控溅射；择优取向 预沉积AlN 过渡层时，靶材为高纯Al （99.9% ），工作 中图分类号：O484.1 文献标识码：A 气体为高纯Ar(99.99%) ，反应气体为高纯N2(99.99%) ， 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1126-02 + 被溅射出的靶材原子（Al ）在衬底Si 表面附近与N 发 1 引 言 生反应，生成AlN 过渡层。通过改变工作气体的压强， 沉积各种取向的AlN 过渡层，作为ZnO 薄膜生长的 ZnO 是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料， 衬底。在随后的溅射沉积制备 ZnO 薄膜过程中，以 其直接禁带宽度为3.3eV ，属于六角晶系。而且，优 高纯 ZnO(99.9%)陶瓷为靶材，以高纯 Ar(99.99%)和 质的ZnO 薄膜具有低介电常数、良好的温度稳定性、 O2 (99.99%)为工作气体，在预沉积了取向AlN 薄膜的 高的光透过率等优异的光电特性，再加上其原料丰富 Si(100) 衬底上沉积ZnO 薄膜。 易得、价格低廉，在非线性光学器件、发光器件、太 阳能电池、紫外光探测器及集成光学等领域有重要的 3 结果及讨论 应用，并且其产业化前景看好。同时，c 轴择优取向 的 ZnO 薄膜还具有优良的压电特性，如高的机电耦 图 1 是以AlN/Si 为衬底沉积的 ZnO 薄膜 FTIR 合系数等，是一种用于声表面波 （SAW ）器件的理想 透射谱。谱线中在 428cm-1 和 676cm-1 处出现了两个 材料[1]