低SSN的机顶盒芯片DDR控制器的设计.pdfVIP

I N阳R㈣o怔R黝怎鬈湖 矽烹麓篓筹 【本文献信息】梁骏，张明．低SSN的机顶盒芯片DDR控制器的设计[J]．电视技术，2013，37(19) 低SSN的机顶盒芯片DDR控制器的设计 梁骏，张明 (浙江大学信息与通信工程研究所，浙江杭州310027) 【摘要】低成本QFP封装的SSN效应是限制DDR接口传输速率的重要因素。根据图像数据翻转比特的分布统计，提出了基 数据比特翻转的写传输。分析结果表明提出的方法能以较少的代价减少SSN。 【关键词】DDR；SSN；QFP；数据重发 【中图分类号】TN47 【文献标志码】A DDR forSTBwithLowSSN Controller Design HANG Jan，ZHANGMing andCommunication Unitersity，Hangzhou310027，China) (InstituteofInformation Engineering，Zhejiang is of causeswhichlimittheDDRtransferrateofSTB this SSNwithlowcost inductoronethe chip．Inpaper， 【Abstract】The QFPpackage important videodata situationisdiscussedandadatarewritebasedDDRcontrolleris method a data ratewritetransaction toggle proposed．Thischangeshigh toggle SSNwith cost． into2low ratewritetransactionswithDM ofDDR resultshowsthatthismethodCanreduce data sign．1s acceptable toggle chip．Simulation rewrite 【Keywords】DDR；SSN；QFP；data DDR DateRateStaticRandomAccess SDRAM(Double 输出到PCB传输线，引起外部传输线电平升高。当输出 信号翻转为0时电流从外部传输线流人芯片，通过驱动器 Memory，双速率静态随机访问存储器，以下简称DDR)的 Mbit／s的NMOS管，然后通过￡回到电源的地。在信号翻转过程 最高工作频率随着芯片技术进步从第一代的200 600 中，DDR接口的驱动器感受到的电源与地将是一个叠加 传输速率飞速发展到第三代的1 MbiCs…。封装寄生 电感会给DDR接口带来很大的SSN(同步开关噪声)，并SSN噪声的非理想电源与地。这个SSN电压噪声引起输 出波形的边沿发生恶化，信号延时发生抖动，最终导致系 限制芯片DDR接1=I的传输速率。QPF封装的管脚金线