共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In2Se3基半导体热电性能的影响.pdfVIP

第41卷 第12期 稀有金属材料与工程 V01．41，No．12 2012笠 12月 RAItEMETALMATERIALSANDENGINEERING December2012 热电性能的影响 崔教林1，张晓军2，李奕法3，高榆岚2 f1．宁波工程学院，浙江宁波3150161 (2．中国矿业大学，江苏徐州I 2211161 f3．太原理工大学，山西太原030024) 摘 ev减小到1．14 窄，玩值由本征态时的1．32 eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由O．76x10’4增大到 “．In2se3呈现非晶状组织，共掺杂Cu，Te后，微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时，掺杂后晶格热导率 的适量提高与该微结构转变有直接联系。 关键词：a—In2Se3基半导体；禁带宽度(E。)；热电性能 中图法分类号：TN379 文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2012)12—2118．05 表征热电材料性能优劣的无量纲优值(z乃是制约 带(价带)受热激发到价带(导带)的能量，从而大幅度提 热电转换效率高低的最主要指标之一。ZT值与材料的 高材料的电导率。 各输运性能密切相关，具体可表述为：z仁彭crT／K，其 Te作为原子序数最大的非金属元素，无论是作为 中口、OXT和扮别表示Seebeck系数、电导率、绝对掺杂还是骨架原子，历来是热电材料的主要选择元素 温度和热导率。目前，获得高性能热电材料主要有两种 途径：其一，在不影响电学性能的前提下，通过增大声 eV降到 z-In2Se25Teo．5后，其禁带宽度(最)由原来的1．8 子散射来降低晶格热导率[1，21。其二，受量子效应启发， 了1．45 寻找具有较高功率因子(彭D=)的低维热电材料[3，41。 掺Te后的CdSexTe，。带隙也有明显的改变。由此可见， a-In2Se3是一类宽带隙半导体材料，禁带宽度旧。)Te对硒化物半导体材料的能带结构非常敏感。 的计算值为1．39eV【5]。同时，研究发现类似的二维层 本实验主要研究由放电等离子烧结法(sPS)制各 状结构材料具有极低的晶格热导率[6，71。但Teraguchi 等[8】通过研究各类半导体的化学键离子性和禁带宽度 及热电性能。 v1类化合物是一类对掺杂较 之间的关系后得出，彳2Ⅱ183 1 实验 易控制的半导体材料。掺杂对能带结构的影响远较 Bi2Te3基、PbTe基等传统热电材料敏感。In2se3中两两种材料成分根据化学式Inl8Cuo．2Se3．。Te。 层Se原子呈六边形堆列，且1／3的In原子层空缺， 是一种典型的类纤锌矿层状结构材料【51，这一特征使 得外来杂质原子很容易占据在In空位，与Se原子成 键形成稳定的化合物组元[51。新形成组元在原骨架内 熔炼前，先将单质元素混合物封装在真空石英管内， 可产生另一一类特殊的缺陷，从而在禁带中心附近诱导 在1423K下熔炼24 h。熔炼期间每隔1h振摇一次管 产生杂质能级[5,9,103，缩小禁带宽度，达到修饰能带结子。熔融物随炉冷却到860K，然后放入水中淬火。 构的目的。禁带宽度变窄后可以减小电子(空穴)从导 收稿日期：2011-11-11 市自然科学基金(2011A610093) cujjl@nbip．net， 万方数据 第12期 崔教林等：共掺杂Cu，Te后禁带宽度变窄对In2Se，基半导体热电性能的影响 ·2119· 同类的层7-In2S