运用低温Purge降低LPCVD氮化硅工艺的.pdfVIP

第 l3卷 ，第2期 电 子 与 封 装 总 第118gY VOl13，NO 2 ELECTRONICS PACKAGING 2Ol3年2月 避 瓣 鬻 运用低温Purge降．[~LPCVD氮化硅工艺的 微粒污染 罗浚涛 。，程秀兰 (1．上海交通大学微电子学院，上海200240；2．中芯国际集成电路制造 (上海)有限公司，上海201203) 摘 要：LPCVD制备的氮化硅 薄膜具有 良好的阶梯覆盖性，但是这种薄膜的应力偏高，在石英工艺 腔管使用到8gm后易形成剥落微粒。特别是半导体工艺发展到 了亚微米阶段，这一问题对于产品良 率的影响也越来越大。文中以垂直式LPCVD设备为研究对象，通过利用晶圆冷却时间，运用降低工 艺腔体温度并使用N，Purge的方法来改善微粒状况。通过大量对比实验来得 出最优温度设定。运用这 种方式不但改善 了LPCVD设备制备氮化硅膜 的微粒状况 ，还延长 了设备 的维护周期 ，增加设备利用 时间。 关键词：微粒污染；垂直型炉管；低温N，Purge；剥落微粒 中图分类号：TN305 文献标识码 ：A 文章编号：1681—1070(2013)02—0032—05 UseLow TemperaturePurgetoReduceParticlesofLPCVD Si3N4Process LUO Juntao 2CHENG Xiulan (1．ShangHaiJiaoTongUniversitySchoolofMicroelectronics，Shanghai200240，China； 2．SemiconductorManufacturingInternationalCorporation，Shanghai201203，China) Abstract：Siliconnitridefilm whichdepositedbyLPCVD hasbetterstagecoverage，butwithhighstress． ThequartztubeeasilygeneratepeelingparticlesafterthethicknessofSiliconnitridefilm over8gm．W ith thedevelopmentofICindustry,theyieldbecamemorecriticalaboutsmallsizeparticles．Thispaperisbased ontheresearchofverticalLPCVD system，usinglow temperautreN，purgetoremovepeelingparticles．This modificationhasprovedtheabilitytoreducepeelingparticlesandprolongPM cycletime． Keywords：particle；LPCVD；low temperautreN2purge；peeling 特征尺寸 已经进入到纳米级别的今天 ，这显然是不 1 引言 能满足要求的 ，控制更小尺寸的微粒 已经被认为是 保持 良率的一个方向。在设备保持原来状态的情况 随着半导体器件特征尺寸的减小 ，更小的微粒 下，这一措施会使平均微粒数 (particlemeanvalue) 也能对器件造成毁灭性破坏。因此，几乎所有对微 明显增加，particleOOCOOS变得频繁，为了保持 粒敏感的工艺都将更小尺寸的微粒纳入控制标准中